MJD127T4G,463-111,ON Semiconductor MJD127T4G PNP 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 DPAK封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor MJD127T4G PNP 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 DPAK封装

制造商零件编号：
MJD127T4G
库存编号：
463-111
ON Semiconductor MJD127T4G
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MJD127T4G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  6.73mm  
  尺寸  6.73 x 6.22 x 2.38mm  
  封装类型  DPAK  
  高度  2.38mm  
  晶体管类型  PNP  
  晶体管配置  单  
  宽度  6.22mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大基极-发射极饱和电压  4.5 V  
  最大集电极-发射极饱和电压  4 V  
  最大集电极-发射极电压  100 V  
  最大集电极-基极电压  100 V  
  最大集电极-基极截止电流  0.01mA  
  最大连续集电极电流  8 A  
  最低工作温度  -65 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  100  
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安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 安装类型 表面贴装  达林顿晶体管 安装类型 表面贴装  ON Semiconductor 达林顿晶体管 安装类型 表面贴装   长度 6.73mm  ON Semiconductor 长度 6.73mm  达林顿晶体管 长度 6.73mm  ON Semiconductor 达林顿晶体管 长度 6.73mm   尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  ON Semiconductor 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  达林顿晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm  ON Semiconductor 达林顿晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm   封装类型 DPAK  ON Semiconductor 封装类型 DPAK  达林顿晶体管 封装类型 DPAK  ON Semiconductor 达林顿晶体管 封装类型 DPAK   高度 2.38mm  ON Semiconductor 高度 2.38mm  达林顿晶体管 高度 2.38mm  ON Semiconductor 达林顿晶体管 高度 2.38mm   晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 晶体管类型 PNP  达林顿晶体管 晶体管类型 PNP  ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 单  ON Semiconductor 晶体管配置 单  达林顿晶体管 晶体管配置 单  ON Semiconductor 达林顿晶体管 晶体管配置 单   宽度 6.22mm  ON Semiconductor 宽度 6.22mm  达林顿晶体管 宽度 6.22mm  ON Semiconductor 达林顿晶体管 宽度 6.22mm   每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1  达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1  ON Semiconductor 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  ON Semiconductor 引脚数目 3  达林顿晶体管 引脚数目 3  ON Semiconductor 达林顿晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 5 V  ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V  达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大基极-发射极饱和电压 4.5 V  ON Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 4.5 V  达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 4.5 V  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 4.5 V   最大集电极-发射极饱和电压 4 V  ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 4 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 4 V  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 4 V   最大集电极-发射极电压 100 V  ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 100 V  达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V   最大集电极-基极电压 100 V  ON Semiconductor 最大集电极-基极电压 100 V  达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 100 V   最大集电极-基极截止电流 0.01mA  ON Semiconductor 最大集电极-基极截止电流 0.01mA  达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 0.01mA  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大集电极-基极截止电流 0.01mA   最大连续集电极电流 8 A  ON Semiconductor 最大连续集电极电流 8 A  达林顿晶体管 最大连续集电极电流 8 A  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最大连续集电极电流 8 A   最低工作温度 -65 °C  ON Semiconductor 最低工作温度 -65 °C  达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C   最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 100  ON Semiconductor 最小直流电流增益 100  达林顿晶体管 最小直流电流增益 100  ON Semiconductor 达林顿晶体管 最小直流电流增益 100  
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Darlington Transistors 8A 100V Bipolar Power PNP

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Darlington Transistors BIP DPAK PNP 8A 100V

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Trans Darlington PNP 100V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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TRANSISTOR, PNP, -100V, -8A, TO-252-3

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DARLINGTON TRANSISTOR, PNP, -100V, D-PAK

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MJD Series 100 V 8 A PNP Complementary Darlington Power Transistor - TO-252-3

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ON Semi MJD127T4G PNP Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK

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Transistor: PNP, bipolar, Darlington, 100V, 8A, 20W, DPAK

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8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

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8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

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ON Semiconductor - MJD127T4G - TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK		ON Semiconductor
TRANS PNP DARL 100V 8A DPAK
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 8A 4MHz 1.75W Surface Mount DPAK-3

型号：MJD127T4G
仓库库存编号：MJD127T4GOSCT-ND
别名：MJD127T4GOSCT <br>

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ON Semiconductor - MJD127T4G - 3-Pin DPAK 8 A 100 V HFE:100 ON Semi MJD127T4G PNP Darlington Transistor|70340235 | ChuangWei Electronics		ON Semiconductor
ON Semi MJD127T4G PNP Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:100, 3-Pin DPAK

型号：MJD127T4G
仓库库存编号：70340235

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MJD127T4G|ON SemiconductorMJD127T4G
ON Semiconductor		TRANS DARL PNP 8A 100V DPAK
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ON Semiconductor - MJD127T4G - ON Semiconductor MJD127T4G PNP 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号：
MJD127T4G
品牌：
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库存编号：
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ON Semiconductor - MJD127T4G - ON Semiconductor MJD127T4G PNP 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=100, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号：
MJD127T4G
品牌：
ON Semiconductor
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MJD127T4G|ON SemiconductorMJD127T4G
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MJD127T4G
ON SEMICONDUCTOR MJD127T4G		2317582

ON SEMICONDUCTOR

单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 4 MHz, 20 W, -8 A, 100 hFE

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ON SEMICONDUCTOR MJD127T4G.		1705537

ON SEMICONDUCTOR

达林顿晶体管, PNP, -100V, D-PAK

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MJD127T4G
ON SEMICONDUCTOR MJD127T4G		2441273

ON SEMICONDUCTOR

单晶体管 双极, 达林顿, PNP, -100 V, 4 MHz, 20 W, -8 A, 2500 hFE

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电话:400-900-3095
QQ:800152669

MJD127T4G产品技术参数资料

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