BSP51,287-522,Nexperia BSP51 NPN 达林顿晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE=1000, 4引脚 SOT-223封装 ,Infineon
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BSP51
Nexperia BSP51 NPN 达林顿晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE=1000, 4引脚 SOT-223封装
制造商零件编号:
BSP51
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
287-522
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BSP51产品详细信息
复合晶体管,Infineon
BSP51产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.5mm
尺寸
6.5 x 3.5 x 1.6mm
封装类型
SOT-223
高度
1.6mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
3.5mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
4
最大发射极-基极电压
5 V
最大基极-发射极饱和电压
2.2 V
最大集电极-发射极饱和电压
1.8 V
最大集电极-发射极电压
60 V
最大集电极-基极电压
80 V
最大连续集电极电流
1 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
1000
关键词
BSP51相关搜索
安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon 达林顿晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.5mm
Infineon 长度 6.5mm
达林顿晶体管 长度 6.5mm
Infineon 达林顿晶体管 长度 6.5mm
尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm
Infineon 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm
达林顿晶体管 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm
Infineon 达林顿晶体管 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm
封装类型 SOT-223
Infineon 封装类型 SOT-223
达林顿晶体管 封装类型 SOT-223
Infineon 达林顿晶体管 封装类型 SOT-223
高度 1.6mm
Infineon 高度 1.6mm
达林顿晶体管 高度 1.6mm
Infineon 达林顿晶体管 高度 1.6mm
晶体管类型 NPN
Infineon 晶体管类型 NPN
达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
Infineon 达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
达林顿晶体管 晶体管配置 单
Infineon 达林顿晶体管 晶体管配置 单
宽度 3.5mm
Infineon 宽度 3.5mm
达林顿晶体管 宽度 3.5mm
Infineon 达林顿晶体管 宽度 3.5mm
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon 达林顿晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 4
Infineon 引脚数目 4
达林顿晶体管 引脚数目 4
Infineon 达林顿晶体管 引脚数目 4
最大发射极-基极电压 5 V
Infineon 最大发射极-基极电压 5 V
达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
Infineon 达林顿晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大基极-发射极饱和电压 2.2 V
Infineon 最大基极-发射极饱和电压 2.2 V
达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2.2 V
Infineon 达林顿晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2.2 V
最大集电极-发射极饱和电压 1.8 V
Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 1.8 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.8 V
Infineon 达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.8 V
最大集电极-发射极电压 60 V
Infineon 最大集电极-发射极电压 60 V
达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V
Infineon 达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V
最大集电极-基极电压 80 V
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达林顿晶体管 最大集电极-基极电压 80 V
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最大连续集电极电流 1 A
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最低工作温度 -65 °C
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达林顿晶体管 最低工作温度 -65 °C
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最高工作温度 +150 °C
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达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 1000
Infineon 最小直流电流增益 1000
达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000
Infineon 达林顿晶体管 最小直流电流增益 1000
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BSP51产品技术参数资料
BSP50/52 Series NPN Silicon Darlington Transistor Data Sheet
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