8.0MHz HC49/4HSMX 30/50/-40+85°C/30pF,814-1853,IQD LFXTAL018442R250, 8MHz 晶体单元, ±30ppm, 2针 HC-49 ,IQD
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8.0MHz HC49/4HSMX 30/50/-40+85°C/30pF
IQD LFXTAL018442R250, 8MHz 晶体单元, ±30ppm, 2针 HC-49
制造商零件编号:
8.0MHz HC49/4HSMX 30/50/-40+85°C/30pF
制造商:
IQD
IQD
库存编号:
814-1853
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
8.0MHz HC49/4HSMX 30/50/-40+85°C/30pF产品详细信息
HC49/4H SMX
基频谐振模式
8.0MHz HC49/4HSMX 30/50/-40+85°C/30pF产品技术参数
安装类型
表面贴装
标准频率
8MHz
长度
11.05mm
尺寸
11.05 x 4.65 x 13.46mm
串联电阻值
50Ω
封装类型
HC-49
负载电容值
30pF
高度
13.46mm
宽度
4.65mm
频率老化
±3 ppm/yr
频率容差
±30ppm
频率稳定性
±200ppm
引脚数目
2
振荡模式
基本振荡
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
关键词
8.0MHz HC49/4HSMX 30/50/-40+85°C/30pF相关搜索
安装类型 表面贴装
IQD 安装类型 表面贴装
晶体单元 安装类型 表面贴装
IQD 晶体单元 安装类型 表面贴装
标准频率 8MHz
IQD 标准频率 8MHz
晶体单元 标准频率 8MHz
IQD 晶体单元 标准频率 8MHz
长度 11.05mm
IQD 长度 11.05mm
晶体单元 长度 11.05mm
IQD 晶体单元 长度 11.05mm
尺寸 11.05 x 4.65 x 13.46mm
IQD 尺寸 11.05 x 4.65 x 13.46mm
晶体单元 尺寸 11.05 x 4.65 x 13.46mm
IQD 晶体单元 尺寸 11.05 x 4.65 x 13.46mm
串联电阻值 50Ω
IQD 串联电阻值 50Ω
晶体单元 串联电阻值 50Ω
IQD 晶体单元 串联电阻值 50Ω
封装类型 HC-49
IQD 封装类型 HC-49
晶体单元 封装类型 HC-49
IQD 晶体单元 封装类型 HC-49
负载电容值 30pF
IQD 负载电容值 30pF
晶体单元 负载电容值 30pF
IQD 晶体单元 负载电容值 30pF
高度 13.46mm
IQD 高度 13.46mm
晶体单元 高度 13.46mm
IQD 晶体单元 高度 13.46mm
宽度 4.65mm
IQD 宽度 4.65mm
晶体单元 宽度 4.65mm
IQD 晶体单元 宽度 4.65mm
频率老化 ±3 ppm/yr
IQD 频率老化 ±3 ppm/yr
晶体单元 频率老化 ±3 ppm/yr
IQD 晶体单元 频率老化 ±3 ppm/yr
频率容差 ±30ppm
IQD 频率容差 ±30ppm
晶体单元 频率容差 ±30ppm
IQD 晶体单元 频率容差 ±30ppm
频率稳定性 ±200ppm
IQD 频率稳定性 ±200ppm
晶体单元 频率稳定性 ±200ppm
IQD 晶体单元 频率稳定性 ±200ppm
引脚数目 2
IQD 引脚数目 2
晶体单元 引脚数目 2
IQD 晶体单元 引脚数目 2
振荡模式 基本振荡
IQD 振荡模式 基本振荡
晶体单元 振荡模式 基本振荡
IQD 晶体单元 振荡模式 基本振荡
最低工作温度 -40 °C
IQD 最低工作温度 -40 °C
晶体单元 最低工作温度 -40 °C
IQD 晶体单元 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
IQD 最高工作温度 +85 °C
晶体单元 最高工作温度 +85 °C
IQD 晶体单元 最高工作温度 +85 °C
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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8.0MHz HC49/4HSMX 30/50/-40+85°C/30pF产品技术参数资料
Crystal Specification Model: HC49/4HSMX
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