10.0MHz HC49/4H 30/50/-40+85°C/30pF,814-1812,IQD LFXTAL028123R250, 10MHz 晶体, ±30ppm, 2针 HC-49 ,IQD
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10.0MHz HC49/4H 30/50/-40+85°C/30pF
IQD LFXTAL028123R250, 10MHz 晶体, ±30ppm, 2针 HC-49
制造商零件编号:
10.0MHz HC49/4H 30/50/-40+85°C/30pF
制造商:
IQD
IQD
库存编号:
814-1812
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
10.0MHz HC49/4H 30/50/-40+85°C/30pF产品详细信息
HC49/4H IQD
10.0MHz HC49/4H 30/50/-40+85°C/30pF产品技术参数
安装类型
通孔
标准频率
10MHz
长度
11.05mm
尺寸
11.05 x 4.7 x 4.1mm
串联电阻值
35Ω
封装类型
HC-49
负载电容值
30pF
高度
4.1mm
宽度
4.7mm
频率老化
±3 ppm/yr
频率容差
±30ppm
频率稳定性
±200ppm
引脚数目
2
振荡模式
基本振荡
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
关键词
10.0MHz HC49/4H 30/50/-40+85°C/30pF相关搜索
安装类型 通孔
IQD 安装类型 通孔
晶体单元 安装类型 通孔
IQD 晶体单元 安装类型 通孔
标准频率 10MHz
IQD 标准频率 10MHz
晶体单元 标准频率 10MHz
IQD 晶体单元 标准频率 10MHz
长度 11.05mm
IQD 长度 11.05mm
晶体单元 长度 11.05mm
IQD 晶体单元 长度 11.05mm
尺寸 11.05 x 4.7 x 4.1mm
IQD 尺寸 11.05 x 4.7 x 4.1mm
晶体单元 尺寸 11.05 x 4.7 x 4.1mm
IQD 晶体单元 尺寸 11.05 x 4.7 x 4.1mm
串联电阻值 35Ω
IQD 串联电阻值 35Ω
晶体单元 串联电阻值 35Ω
IQD 晶体单元 串联电阻值 35Ω
封装类型 HC-49
IQD 封装类型 HC-49
晶体单元 封装类型 HC-49
IQD 晶体单元 封装类型 HC-49
负载电容值 30pF
IQD 负载电容值 30pF
晶体单元 负载电容值 30pF
IQD 晶体单元 负载电容值 30pF
高度 4.1mm
IQD 高度 4.1mm
晶体单元 高度 4.1mm
IQD 晶体单元 高度 4.1mm
宽度 4.7mm
IQD 宽度 4.7mm
晶体单元 宽度 4.7mm
IQD 晶体单元 宽度 4.7mm
频率老化 ±3 ppm/yr
IQD 频率老化 ±3 ppm/yr
晶体单元 频率老化 ±3 ppm/yr
IQD 晶体单元 频率老化 ±3 ppm/yr
频率容差 ±30ppm
IQD 频率容差 ±30ppm
晶体单元 频率容差 ±30ppm
IQD 晶体单元 频率容差 ±30ppm
频率稳定性 ±200ppm
IQD 频率稳定性 ±200ppm
晶体单元 频率稳定性 ±200ppm
IQD 晶体单元 频率稳定性 ±200ppm
引脚数目 2
IQD 引脚数目 2
晶体单元 引脚数目 2
IQD 晶体单元 引脚数目 2
振荡模式 基本振荡
IQD 振荡模式 基本振荡
晶体单元 振荡模式 基本振荡
IQD 晶体单元 振荡模式 基本振荡
最低工作温度 -40 °C
IQD 最低工作温度 -40 °C
晶体单元 最低工作温度 -40 °C
IQD 晶体单元 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
IQD 最高工作温度 +85 °C
晶体单元 最高工作温度 +85 °C
IQD 晶体单元 最高工作温度 +85 °C
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
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10.0MHz HC49/4H 30/50/-40+85°C/30pF产品技术参数资料
Crystal Specification Model: HC49/4H
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