19.66080MHz HC49 20/50/-40+85°C/SR,814-1718,IQD LFXTAL062389R250, 19.6608MHz 晶体单元, ±20ppm, 2针 HC-49 ,IQD
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19.66080MHz HC49 20/50/-40+85°C/SR
IQD LFXTAL062389R250, 19.6608MHz 晶体单元, ±20ppm, 2针 HC-49
制造商零件编号:
19.66080MHz HC49 20/50/-40+85°C/SR
制造商:
IQD
IQD
库存编号:
814-1718
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
19.66080MHz HC49 20/50/-40+85°C/SR产品详细信息
HC49 和 HC49U IQD
19.66080MHz HC49 20/50/-40+85°C/SR产品技术参数
安装类型
通孔
标准频率
19.6608MHz
长度
11.05mm
尺寸
11.05 x 4.65 x 13.46mm
串联电阻值
35Ω
封装类型
HC-49
负载电容值
Series
高度
13.46mm
宽度
4.65mm
频率老化
±3 ppm/yr
频率容差
±20ppm
频率稳定性
±50ppm
引脚数目
2
振荡模式
基本振荡
最低工作温度
-40 °C
最高工作温度
+85 °C
关键词
19.66080MHz HC49 20/50/-40+85°C/SR相关搜索
安装类型 通孔
IQD 安装类型 通孔
晶体单元 安装类型 通孔
IQD 晶体单元 安装类型 通孔
标准频率 19.6608MHz
IQD 标准频率 19.6608MHz
晶体单元 标准频率 19.6608MHz
IQD 晶体单元 标准频率 19.6608MHz
长度 11.05mm
IQD 长度 11.05mm
晶体单元 长度 11.05mm
IQD 晶体单元 长度 11.05mm
尺寸 11.05 x 4.65 x 13.46mm
IQD 尺寸 11.05 x 4.65 x 13.46mm
晶体单元 尺寸 11.05 x 4.65 x 13.46mm
IQD 晶体单元 尺寸 11.05 x 4.65 x 13.46mm
串联电阻值 35Ω
IQD 串联电阻值 35Ω
晶体单元 串联电阻值 35Ω
IQD 晶体单元 串联电阻值 35Ω
封装类型 HC-49
IQD 封装类型 HC-49
晶体单元 封装类型 HC-49
IQD 晶体单元 封装类型 HC-49
负载电容值 Series
IQD 负载电容值 Series
晶体单元 负载电容值 Series
IQD 晶体单元 负载电容值 Series
高度 13.46mm
IQD 高度 13.46mm
晶体单元 高度 13.46mm
IQD 晶体单元 高度 13.46mm
宽度 4.65mm
IQD 宽度 4.65mm
晶体单元 宽度 4.65mm
IQD 晶体单元 宽度 4.65mm
频率老化 ±3 ppm/yr
IQD 频率老化 ±3 ppm/yr
晶体单元 频率老化 ±3 ppm/yr
IQD 晶体单元 频率老化 ±3 ppm/yr
频率容差 ±20ppm
IQD 频率容差 ±20ppm
晶体单元 频率容差 ±20ppm
IQD 晶体单元 频率容差 ±20ppm
频率稳定性 ±50ppm
IQD 频率稳定性 ±50ppm
晶体单元 频率稳定性 ±50ppm
IQD 晶体单元 频率稳定性 ±50ppm
引脚数目 2
IQD 引脚数目 2
晶体单元 引脚数目 2
IQD 晶体单元 引脚数目 2
振荡模式 基本振荡
IQD 振荡模式 基本振荡
晶体单元 振荡模式 基本振荡
IQD 晶体单元 振荡模式 基本振荡
最低工作温度 -40 °C
IQD 最低工作温度 -40 °C
晶体单元 最低工作温度 -40 °C
IQD 晶体单元 最低工作温度 -40 °C
最高工作温度 +85 °C
IQD 最高工作温度 +85 °C
晶体单元 最高工作温度 +85 °C
IQD 晶体单元 最高工作温度 +85 °C
邮箱:
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800152669
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19.66080MHz HC49 20/50/-40+85°C/SR产品技术参数资料
Crystal Specification Model: HC49
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