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安装类型	通孔
标准频率	30.875MHz
长度	11.05mm
尺寸	11.05 x 4.7 x 4.1mm
串联电阻值	100Ω
封装类型	HC-49-4H
负载电容值	18pF
高度	4.1mm
宽度	4.7mm
频率老化	±5 ppm/yr
频率容差	±30ppm
频率稳定性	±50ppm
引脚数目	2
振荡模式	三阶泛音
最低工作温度	-10°C
最高工作温度	+60 °C
关键词

安装类型 通孔  IQD 安装类型 通孔  晶体单元 安装类型 通孔  IQD 晶体单元 安装类型 通孔   标准频率 30.875MHz  IQD 标准频率 30.875MHz  晶体单元 标准频率 30.875MHz  IQD 晶体单元 标准频率 30.875MHz   长度 11.05mm  IQD 长度 11.05mm  晶体单元 长度 11.05mm  IQD 晶体单元 长度 11.05mm   尺寸 11.05 x 4.7 x 4.1mm  IQD 尺寸 11.05 x 4.7 x 4.1mm  晶体单元 尺寸 11.05 x 4.7 x 4.1mm  IQD 晶体单元 尺寸 11.05 x 4.7 x 4.1mm   串联电阻值 100Ω  IQD 串联电阻值 100Ω  晶体单元 串联电阻值 100Ω  IQD 晶体单元 串联电阻值 100Ω   封装类型 HC-49-4H  IQD 封装类型 HC-49-4H  晶体单元 封装类型 HC-49-4H  IQD 晶体单元 封装类型 HC-49-4H   负载电容值 18pF  IQD 负载电容值 18pF  晶体单元 负载电容值 18pF  IQD 晶体单元 负载电容值 18pF   高度 4.1mm  IQD 高度 4.1mm  晶体单元 高度 4.1mm  IQD 晶体单元 高度 4.1mm   宽度 4.7mm  IQD 宽度 4.7mm  晶体单元 宽度 4.7mm  IQD 晶体单元 宽度 4.7mm   频率老化 ±5 ppm/yr  IQD 频率老化 ±5 ppm/yr  晶体单元 频率老化 ±5 ppm/yr  IQD 晶体单元 频率老化 ±5 ppm/yr   频率容差 ±30ppm  IQD 频率容差 ±30ppm  晶体单元 频率容差 ±30ppm  IQD 晶体单元 频率容差 ±30ppm   频率稳定性 ±50ppm  IQD 频率稳定性 ±50ppm  晶体单元 频率稳定性 ±50ppm  IQD 晶体单元 频率稳定性 ±50ppm   引脚数目 2  IQD 引脚数目 2  晶体单元 引脚数目 2  IQD 晶体单元 引脚数目 2   振荡模式 三阶泛音  IQD 振荡模式 三阶泛音  晶体单元 振荡模式 三阶泛音  IQD 晶体单元 振荡模式 三阶泛音   最低工作温度 -10°C  IQD 最低工作温度 -10°C  晶体单元 最低工作温度 -10°C  IQD 晶体单元 最低工作温度 -10°C   最高工作温度 +60 °C  IQD 最高工作温度 +60 °C  晶体单元 最高工作温度 +60 °C  IQD 晶体单元 最高工作温度 +60 °C  

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