LM311DR2G,805-1365,ON Semiconductor LM311DR2G 比较器, CMOS输出, 200ns, 36 V, 8引脚 SOIC封装 ,ON Semiconductor
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LM311DR2G
ON Semiconductor LM311DR2G 比较器, CMOS输出, 200ns, 36 V, 8引脚 SOIC封装
制造商零件编号：
LM311DR2G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
805-1365
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
LM311DR2G产品详细信息
比较器，ON Semiconductor
LM311DR2G产品技术参数
安装类型
表面贴装
比较器类型
通用
长度
5mm
尺寸
5 x 4 x 1.5mm
典型单电源电压
36 V
典型电压增益
200 V/mV
典型双电源电压
±30V
典型响应时间
200ns
电源类型
双，单
封装类型
SOIC
高度
1.5mm
宽度
4mm
每片芯片通道数目
1
输出类型
CMOS
引脚数目
8
最低工作温度
0 °C
最高工作温度
+70 °C
关键词
LM311DR2G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
比较器 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 比较器 安装类型 表面贴装
比较器类型 通用
ON Semiconductor 比较器类型 通用
比较器 比较器类型 通用
ON Semiconductor 比较器 比较器类型 通用
长度 5mm
ON Semiconductor 长度 5mm
比较器 长度 5mm
ON Semiconductor 比较器 长度 5mm
尺寸 5 x 4 x 1.5mm
ON Semiconductor 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
比较器 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
ON Semiconductor 比较器 尺寸 5 x 4 x 1.5mm
典型单电源电压 36 V
ON Semiconductor 典型单电源电压 36 V
比较器 典型单电源电压 36 V
ON Semiconductor 比较器 典型单电源电压 36 V
典型电压增益 200 V/mV
ON Semiconductor 典型电压增益 200 V/mV
比较器 典型电压增益 200 V/mV
ON Semiconductor 比较器 典型电压增益 200 V/mV
典型双电源电压 ±30V
ON Semiconductor 典型双电源电压 ±30V
比较器 典型双电源电压 ±30V
ON Semiconductor 比较器 典型双电源电压 ±30V
典型响应时间 200ns
ON Semiconductor 典型响应时间 200ns
比较器 典型响应时间 200ns
ON Semiconductor 比较器 典型响应时间 200ns
电源类型 双，单
ON Semiconductor 电源类型 双，单
比较器 电源类型 双，单
ON Semiconductor 比较器 电源类型 双，单
封装类型 SOIC
ON Semiconductor 封装类型 SOIC
比较器 封装类型 SOIC
ON Semiconductor 比较器 封装类型 SOIC
高度 1.5mm
ON Semiconductor 高度 1.5mm
比较器 高度 1.5mm
ON Semiconductor 比较器 高度 1.5mm
宽度 4mm
ON Semiconductor 宽度 4mm
比较器 宽度 4mm
ON Semiconductor 比较器 宽度 4mm
每片芯片通道数目 1
ON Semiconductor 每片芯片通道数目 1
比较器 每片芯片通道数目 1
ON Semiconductor 比较器 每片芯片通道数目 1
输出类型 CMOS
ON Semiconductor 输出类型 CMOS
比较器 输出类型 CMOS
ON Semiconductor 比较器 输出类型 CMOS
引脚数目 8
ON Semiconductor 引脚数目 8
比较器 引脚数目 8
ON Semiconductor 比较器 引脚数目 8
最低工作温度 0 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 0 °C
比较器 最低工作温度 0 °C
ON Semiconductor 比较器 最低工作温度 0 °C
最高工作温度 +70 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +70 °C
比较器 最高工作温度 +70 °C
ON Semiconductor 比较器 最高工作温度 +70 °C
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LM311DR2G产品技术参数资料
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