30LVD10 7.5PCM,214-5931,Vishay 30LV 系列 1nF 250 V 交流 Y5U电介质 通孔 单层陶瓷电容器 (SLCC) 30LVD10 7.5PCM, ±20%容差 ,Vishay
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Vishay 30LV 系列 1nF 250 V 交流 Y5U电介质 通孔 单层陶瓷电容器 (SLCC) 30LVD10 7.5PCM, ±20%容差

制造商零件编号:
30LVD10 7.5PCM
制造商:
Vishay Vishay
库存编号:
214-5931
Vishay 30LVD10  7.5PCM
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

30LVD10 7.5PCM产品详细信息

30LV 系列

可在 Y2 类应用系统中作为干扰抑制器使用
工作温度:-40°C 至 +85°C

认可

UL, CSA, VDE (CECC EN132400)

30LVD10 7.5PCM产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  8.4mm  
  电介质  Y5U  
  电容值  1 nF  
  电压  400 V 交流  
  端子类型  通孔安装  
  耗散因数  1.5% at 25  
  容差  ±20%  
  容差 负  -20%  
  容差 正  +20%  
  深度  5.5mm  
  系列  30LV  
  最高工作温度  +125°C  
关键词         

30LVD10 7.5PCM相关搜索

安装类型 通孔  Vishay 安装类型 通孔  陶瓷单层电容器 安装类型 通孔  Vishay 陶瓷单层电容器 安装类型 通孔   长度 8.4mm  Vishay 长度 8.4mm  陶瓷单层电容器 长度 8.4mm  Vishay 陶瓷单层电容器 长度 8.4mm   电介质 Y5U  Vishay 电介质 Y5U  陶瓷单层电容器 电介质 Y5U  Vishay 陶瓷单层电容器 电介质 Y5U   电容值 1 nF  Vishay 电容值 1 nF  陶瓷单层电容器 电容值 1 nF  Vishay 陶瓷单层电容器 电容值 1 nF   电压 400 V 交流  Vishay 电压 400 V 交流  陶瓷单层电容器 电压 400 V 交流  Vishay 陶瓷单层电容器 电压 400 V 交流   端子类型 通孔安装  Vishay 端子类型 通孔安装  陶瓷单层电容器 端子类型 通孔安装  Vishay 陶瓷单层电容器 端子类型 通孔安装   耗散因数 1.5% at 25  Vishay 耗散因数 1.5% at 25  陶瓷单层电容器 耗散因数 1.5% at 25  Vishay 陶瓷单层电容器 耗散因数 1.5% at 25   容差 ±20%  Vishay 容差 ±20%  陶瓷单层电容器 容差 ±20%  Vishay 陶瓷单层电容器 容差 ±20%   容差 负 -20%  Vishay 容差 负 -20%  陶瓷单层电容器 容差 负 -20%  Vishay 陶瓷单层电容器 容差 负 -20%   容差 正 +20%  Vishay 容差 正 +20%  陶瓷单层电容器 容差 正 +20%  Vishay 陶瓷单层电容器 容差 正 +20%   深度 5.5mm  Vishay 深度 5.5mm  陶瓷单层电容器 深度 5.5mm  Vishay 陶瓷单层电容器 深度 5.5mm   系列 30LV  Vishay 系列 30LV  陶瓷单层电容器 系列 30LV  Vishay 陶瓷单层电容器 系列 30LV   最高工作温度 +125°C  Vishay 最高工作温度 +125°C  陶瓷单层电容器 最高工作温度 +125°C  Vishay 陶瓷单层电容器 最高工作温度 +125°C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号