C4532X7R1H475M200KB,916-3078,TDK C 系列 4.7μF 50 V 直流 X7R电介质 SMD 多层陶瓷电容器 (MLCC) C4532X7R1H475M200KB, ±20%容差, 1812封装 ,TDK
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

TDK C 系列 4.7μF 50 V 直流 X7R电介质 SMD 多层陶瓷电容器 (MLCC) C4532X7R1H475M200KB, ±20%容差, 1812封装

制造商零件编号:
C4532X7R1H475M200KB
制造商:
TDK TDK
库存编号:
916-3078
TDK C4532X7R1H475M200KB
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

C4532X7R1H475M200KB产品详细信息

TDK C 型 1812 系列

MLCC C 系列是单片电路结构,可确保极佳的机械强度和可靠性
通过精密技术实现高电容,该技术可使用多个较薄的陶瓷电介质层

特点和优势:

低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。
由于低 ESR,低自加热且耐高纹波

应用:

• 通用电子设备
• 移动通信设备
• 电源电路
• 办公自动化设备
• TV、LED 显示屏
• 服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑

C4532X7R1H475M200KB产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  层数  Multi-Layer  
  长度  4.5mm  
  尺寸  4.5 x 3.2 x 2mm  
  电介质  X7R  
  电容器系列  多层  
  电容值  4.7 μF  
  电压  50 V 直流  
  端子类型  表面安装  
  封装/外壳  1812  
  高度  2mm  
  耗散因数  5%  
  容差  ±20%  
  容差 负  -20%  
  容差 正  +20%  
  深度  3.2mm  
  温度系数  ±15%  
  系列  C  
  最低工作温度  -55°C  
  最高工作温度  +125°C  
关键词         

C4532X7R1H475M200KB相关搜索

安装类型 表面贴装  TDK 安装类型 表面贴装  陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装  TDK 陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装   层数 Multi-Layer  TDK 层数 Multi-Layer  陶瓷多层电容器 层数 Multi-Layer  TDK 陶瓷多层电容器 层数 Multi-Layer   长度 4.5mm  TDK 长度 4.5mm  陶瓷多层电容器 长度 4.5mm  TDK 陶瓷多层电容器 长度 4.5mm   尺寸 4.5 x 3.2 x 2mm  TDK 尺寸 4.5 x 3.2 x 2mm  陶瓷多层电容器 尺寸 4.5 x 3.2 x 2mm  TDK 陶瓷多层电容器 尺寸 4.5 x 3.2 x 2mm   电介质 X7R  TDK 电介质 X7R  陶瓷多层电容器 电介质 X7R  TDK 陶瓷多层电容器 电介质 X7R   电容器系列 多层  TDK 电容器系列 多层  陶瓷多层电容器 电容器系列 多层  TDK 陶瓷多层电容器 电容器系列 多层   电容值 4.7 μF  TDK 电容值 4.7 μF  陶瓷多层电容器 电容值 4.7 μF  TDK 陶瓷多层电容器 电容值 4.7 μF   电压 50 V 直流  TDK 电压 50 V 直流  陶瓷多层电容器 电压 50 V 直流  TDK 陶瓷多层电容器 电压 50 V 直流   端子类型 表面安装  TDK 端子类型 表面安装  陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装  TDK 陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装   封装/外壳 1812  TDK 封装/外壳 1812  陶瓷多层电容器 封装/外壳 1812  TDK 陶瓷多层电容器 封装/外壳 1812   高度 2mm  TDK 高度 2mm  陶瓷多层电容器 高度 2mm  TDK 陶瓷多层电容器 高度 2mm   耗散因数 5%  TDK 耗散因数 5%  陶瓷多层电容器 耗散因数 5%  TDK 陶瓷多层电容器 耗散因数 5%   容差 ±20%  TDK 容差 ±20%  陶瓷多层电容器 容差 ±20%  TDK 陶瓷多层电容器 容差 ±20%   容差 负 -20%  TDK 容差 负 -20%  陶瓷多层电容器 容差 负 -20%  TDK 陶瓷多层电容器 容差 负 -20%   容差 正 +20%  TDK 容差 正 +20%  陶瓷多层电容器 容差 正 +20%  TDK 陶瓷多层电容器 容差 正 +20%   深度 3.2mm  TDK 深度 3.2mm  陶瓷多层电容器 深度 3.2mm  TDK 陶瓷多层电容器 深度 3.2mm   温度系数 ±15%  TDK 温度系数 ±15%  陶瓷多层电容器 温度系数 ±15%  TDK 陶瓷多层电容器 温度系数 ±15%   系列 C  TDK 系列 C  陶瓷多层电容器 系列 C  TDK 陶瓷多层电容器 系列 C   最低工作温度 -55°C  TDK 最低工作温度 -55°C  陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C  TDK 陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C   最高工作温度 +125°C  TDK 最高工作温度 +125°C  陶瓷多层电容器 最高工作温度 +125°C  TDK 陶瓷多层电容器 最高工作温度 +125°C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

C4532X7R1H475M200KB产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号