C2012X5R1V226M125AC,915-9334,TDK C 系列 22μF 35 V 直流 X5R电介质 SMD 多层陶瓷电容器 (MLCC) C2012X5R1V226M125AC, ±20%容差, 0805封装 ,TDK
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

TDK C 系列 22μF 35 V 直流 X5R电介质 SMD 多层陶瓷电容器 (MLCC) C2012X5R1V226M125AC, ±20%容差, 0805封装

制造商零件编号：
C2012X5R1V226M125AC
制造商：
TDK TDK
库存编号：
915-9334
TDK C2012X5R1V226M125AC
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

C2012X5R1V226M125AC产品详细信息

TDK C 型 0805 系列，X5R 电介质

TDK C 系列通用多层陶瓷片状电容器适用于高频率和高密度类型电源。

特点和优势：

高电容，采用能使用多个更薄陶瓷电介质层的精密技术
单片结构可确保卓越的机械强度和可靠性
低 ESL 和极佳的频率特性让电路设计可以接近符合理论值。
由于低 ESR，低自加热且耐高纹波

应用

商用级，适用于一般应用，包括
一般电子设备；移动通信设备；电源电路；办公自动化设备；电视、LED 显示屏；服务器、PC、笔记本电脑、平板电脑

C2012X5R1V226M125AC产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  层数  Multi-Layer  
  长度  2mm  
  尺寸  2 x 1.25 x 1.25mm  
  电介质  X5R  
  电容器系列  多层  
  电容值  22 μF  
  电压  35 V 直流  
  端子类型  表面安装  
  封装/外壳  0805  
  高度  1.25mm  
  耗散因数  10%  
  容差  ±20%  
  容差 负  -20%  
  容差 正  +20%  
  深度  1.25mm  
  温度系数  ±15%  
  系列  C  
  最低工作温度  -55°C  
  最高工作温度  +85°C  
关键词         

C2012X5R1V226M125AC相关搜索

安装类型 表面贴装  TDK 安装类型 表面贴装  陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装  TDK 陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装   层数 Multi-Layer  TDK 层数 Multi-Layer  陶瓷多层电容器 层数 Multi-Layer  TDK 陶瓷多层电容器 层数 Multi-Layer   长度 2mm  TDK 长度 2mm  陶瓷多层电容器 长度 2mm  TDK 陶瓷多层电容器 长度 2mm   尺寸 2 x 1.25 x 1.25mm  TDK 尺寸 2 x 1.25 x 1.25mm  陶瓷多层电容器 尺寸 2 x 1.25 x 1.25mm  TDK 陶瓷多层电容器 尺寸 2 x 1.25 x 1.25mm   电介质 X5R  TDK 电介质 X5R  陶瓷多层电容器 电介质 X5R  TDK 陶瓷多层电容器 电介质 X5R   电容器系列 多层  TDK 电容器系列 多层  陶瓷多层电容器 电容器系列 多层  TDK 陶瓷多层电容器 电容器系列 多层   电容值 22 μF  TDK 电容值 22 μF  陶瓷多层电容器 电容值 22 μF  TDK 陶瓷多层电容器 电容值 22 μF   电压 35 V 直流  TDK 电压 35 V 直流  陶瓷多层电容器 电压 35 V 直流  TDK 陶瓷多层电容器 电压 35 V 直流   端子类型 表面安装  TDK 端子类型 表面安装  陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装  TDK 陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装   封装/外壳 0805  TDK 封装/外壳 0805  陶瓷多层电容器 封装/外壳 0805  TDK 陶瓷多层电容器 封装/外壳 0805   高度 1.25mm  TDK 高度 1.25mm  陶瓷多层电容器 高度 1.25mm  TDK 陶瓷多层电容器 高度 1.25mm   耗散因数 10%  TDK 耗散因数 10%  陶瓷多层电容器 耗散因数 10%  TDK 陶瓷多层电容器 耗散因数 10%   容差 ±20%  TDK 容差 ±20%  陶瓷多层电容器 容差 ±20%  TDK 陶瓷多层电容器 容差 ±20%   容差 负 -20%  TDK 容差 负 -20%  陶瓷多层电容器 容差 负 -20%  TDK 陶瓷多层电容器 容差 负 -20%   容差 正 +20%  TDK 容差 正 +20%  陶瓷多层电容器 容差 正 +20%  TDK 陶瓷多层电容器 容差 正 +20%   深度 1.25mm  TDK 深度 1.25mm  陶瓷多层电容器 深度 1.25mm  TDK 陶瓷多层电容器 深度 1.25mm   温度系数 ±15%  TDK 温度系数 ±15%  陶瓷多层电容器 温度系数 ±15%  TDK 陶瓷多层电容器 温度系数 ±15%   系列 C  TDK 系列 C  陶瓷多层电容器 系列 C  TDK 陶瓷多层电容器 系列 C   最低工作温度 -55°C  TDK 最低工作温度 -55°C  陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C  TDK 陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C   最高工作温度 +85°C  TDK 最高工作温度 +85°C  陶瓷多层电容器 最高工作温度 +85°C  TDK 陶瓷多层电容器 最高工作温度 +85°C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

C2012X5R1V226M125AC产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号