C4532C0G1H104J200KA,904-0155,TDK C4532 系列 100nF 50 V 直流 C0G电介质 SMD 多层陶瓷电容器 (MLCC) C4532C0G1H104J200KA, ±5%容差, 1812封装 ,TDK
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C4532C0G1H104J200KA
TDK C4532 系列 100nF 50 V 直流 C0G电介质 SMD 多层陶瓷电容器 (MLCC) C4532C0G1H104J200KA, ±5%容差, 1812封装
制造商零件编号:
C4532C0G1H104J200KA
制造商:
TDK
TDK
库存编号:
904-0155
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
C4532C0G1H104J200KA产品详细信息
TDK C 型 1812 高电压系列多层电容器属于 C 系列,提供各种电容值。 通过单片结构实现了出色的机械强度和可靠性。 典型应用包括局域网卡、高电压电路和电源噪声旁通。
表面安装
低 ESL
高纹波电阻
C4532C0G1H104J200KA产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
4.5mm
尺寸
4.5 x 3.2 x 2.2mm
电介质
C0G
电容值
100 nF
电压
50 V 直流
端子类型
表面安装
封装/外壳
1812
高度
2.2mm
容差
±5%
容差 负
-5%
容差 正
+5%
深度
3.2mm
温度系数
±30ppm/°C
系列
C4532
最低工作温度
-55°C
最高工作温度
+125°C
关键词
C4532C0G1H104J200KA相关搜索
安装类型 表面贴装
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陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装
TDK 陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装
长度 4.5mm
TDK 长度 4.5mm
陶瓷多层电容器 长度 4.5mm
TDK 陶瓷多层电容器 长度 4.5mm
尺寸 4.5 x 3.2 x 2.2mm
TDK 尺寸 4.5 x 3.2 x 2.2mm
陶瓷多层电容器 尺寸 4.5 x 3.2 x 2.2mm
TDK 陶瓷多层电容器 尺寸 4.5 x 3.2 x 2.2mm
电介质 C0G
TDK 电介质 C0G
陶瓷多层电容器 电介质 C0G
TDK 陶瓷多层电容器 电介质 C0G
电容值 100 nF
TDK 电容值 100 nF
陶瓷多层电容器 电容值 100 nF
TDK 陶瓷多层电容器 电容值 100 nF
电压 50 V 直流
TDK 电压 50 V 直流
陶瓷多层电容器 电压 50 V 直流
TDK 陶瓷多层电容器 电压 50 V 直流
端子类型 表面安装
TDK 端子类型 表面安装
陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装
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封装/外壳 1812
TDK 封装/外壳 1812
陶瓷多层电容器 封装/外壳 1812
TDK 陶瓷多层电容器 封装/外壳 1812
高度 2.2mm
TDK 高度 2.2mm
陶瓷多层电容器 高度 2.2mm
TDK 陶瓷多层电容器 高度 2.2mm
容差 ±5%
TDK 容差 ±5%
陶瓷多层电容器 容差 ±5%
TDK 陶瓷多层电容器 容差 ±5%
容差 负 -5%
TDK 容差 负 -5%
陶瓷多层电容器 容差 负 -5%
TDK 陶瓷多层电容器 容差 负 -5%
容差 正 +5%
TDK 容差 正 +5%
陶瓷多层电容器 容差 正 +5%
TDK 陶瓷多层电容器 容差 正 +5%
深度 3.2mm
TDK 深度 3.2mm
陶瓷多层电容器 深度 3.2mm
TDK 陶瓷多层电容器 深度 3.2mm
温度系数 ±30ppm/°C
TDK 温度系数 ±30ppm/°C
陶瓷多层电容器 温度系数 ±30ppm/°C
TDK 陶瓷多层电容器 温度系数 ±30ppm/°C
系列 C4532
TDK 系列 C4532
陶瓷多层电容器 系列 C4532
TDK 陶瓷多层电容器 系列 C4532
最低工作温度 -55°C
TDK 最低工作温度 -55°C
陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C
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最高工作温度 +125°C
TDK 最高工作温度 +125°C
陶瓷多层电容器 最高工作温度 +125°C
TDK 陶瓷多层电容器 最高工作温度 +125°C
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C4532C0G1H104J200KA产品技术参数资料
C Series (Commercial Grade) Datasheet_EN
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