1210J5000473KXT,774-0597,Syfer Technology Standard 系列 47nF 500 V X7R电介质 SMD 多层陶瓷电容器 1210J5000473KXT, ±5%容差, 1210封装 ,Syfer Technology
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1210J5000473KXT
Syfer Technology Standard 系列 47nF 500 V X7R电介质 SMD 多层陶瓷电容器 1210J5000473KXT, ±5%容差, 1210封装
制造商零件编号:
1210J5000473KXT
制造商:
Syfer Technology
Syfer Technology
库存编号:
774-0597
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
1210J5000473KXT产品详细信息
Syfer MLCC 1210
适用于所有通用和高可靠性应用
全部使用 Syfer 的独特湿处理制成并包含贵金属电极
1210J5000473KXT产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.2mm
尺寸
3.2 x 2.5 x 2mm
电介质
X7R
电容值
47 nF
电压
500 V
端子类型
表面安装
封装/外壳
1210
高度
2mm
容差
±5%
容差 负
-5%
容差 正
+5%
深度
2.5mm
温度系数
0 → +30ppm/°C
系列
Standard
最低工作温度
-55°C
最高工作温度
+125°C
关键词
1210J5000473KXT相关搜索
安装类型 表面贴装
Syfer Technology 安装类型 表面贴装
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Syfer Technology 陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装
长度 3.2mm
Syfer Technology 长度 3.2mm
陶瓷多层电容器 长度 3.2mm
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 长度 3.2mm
尺寸 3.2 x 2.5 x 2mm
Syfer Technology 尺寸 3.2 x 2.5 x 2mm
陶瓷多层电容器 尺寸 3.2 x 2.5 x 2mm
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 尺寸 3.2 x 2.5 x 2mm
电介质 X7R
Syfer Technology 电介质 X7R
陶瓷多层电容器 电介质 X7R
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电介质 X7R
电容值 47 nF
Syfer Technology 电容值 47 nF
陶瓷多层电容器 电容值 47 nF
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电容值 47 nF
电压 500 V
Syfer Technology 电压 500 V
陶瓷多层电容器 电压 500 V
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电压 500 V
端子类型 表面安装
Syfer Technology 端子类型 表面安装
陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装
封装/外壳 1210
Syfer Technology 封装/外壳 1210
陶瓷多层电容器 封装/外壳 1210
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 封装/外壳 1210
高度 2mm
Syfer Technology 高度 2mm
陶瓷多层电容器 高度 2mm
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 高度 2mm
容差 ±5%
Syfer Technology 容差 ±5%
陶瓷多层电容器 容差 ±5%
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 ±5%
容差 负 -5%
Syfer Technology 容差 负 -5%
陶瓷多层电容器 容差 负 -5%
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 负 -5%
容差 正 +5%
Syfer Technology 容差 正 +5%
陶瓷多层电容器 容差 正 +5%
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 正 +5%
深度 2.5mm
Syfer Technology 深度 2.5mm
陶瓷多层电容器 深度 2.5mm
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 深度 2.5mm
温度系数 0 → +30ppm/°C
Syfer Technology 温度系数 0 → +30ppm/°C
陶瓷多层电容器 温度系数 0 → +30ppm/°C
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系列 Standard
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最低工作温度 -55°C
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陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C
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最高工作温度 +125°C
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陶瓷多层电容器 最高工作温度 +125°C
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1210J5000473KXT产品技术参数资料
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