1210J1K00101JCT,774-0588,Syfer Technology Standard 系列 100pF 1 kV C0G电介质 SMD 多层陶瓷电容器 (MLCC) 1210J1K00101JCT, ±5%容差, 1210封装 ,Syfer Technology
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Syfer Technology Standard 系列 100pF 1 kV C0G电介质 SMD 多层陶瓷电容器 (MLCC) 1210J1K00101JCT, ±5%容差, 1210封装

制造商零件编号：
1210J1K00101JCT
库存编号：
774-0588
Syfer Technology 1210J1K00101JCT
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

1210J1K00101JCT产品详细信息

Syfer MLCC 1210

适用于所有通用和高可靠性应用
全部使用 Syfer 的独特湿处理制成并包含贵金属电极

1210J1K00101JCT产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  3.2mm  
  尺寸  3.2 x 2.5 x 2mm  
  电介质  C0G  
  电容值  100 pF  
  电压  1 kV  
  端子类型  表面安装  
  封装/外壳  1210  
  高度  2mm  
  容差  ±5%  
  容差 负  -5%  
  容差 正  +5%  
  深度  2.5mm  
  温度系数  0 → +30ppm/°C  
  系列  Standard  
  最低工作温度  -55°C  
  最高工作温度  +125°C  
关键词         

1210J1K00101JCT相关搜索

安装类型 表面贴装  Syfer Technology 安装类型 表面贴装  陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装   长度 3.2mm  Syfer Technology 长度 3.2mm  陶瓷多层电容器 长度 3.2mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 长度 3.2mm   尺寸 3.2 x 2.5 x 2mm  Syfer Technology 尺寸 3.2 x 2.5 x 2mm  陶瓷多层电容器 尺寸 3.2 x 2.5 x 2mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 尺寸 3.2 x 2.5 x 2mm   电介质 C0G  Syfer Technology 电介质 C0G  陶瓷多层电容器 电介质 C0G  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电介质 C0G   电容值 100 pF  Syfer Technology 电容值 100 pF  陶瓷多层电容器 电容值 100 pF  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电容值 100 pF   电压 1 kV  Syfer Technology 电压 1 kV  陶瓷多层电容器 电压 1 kV  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电压 1 kV   端子类型 表面安装  Syfer Technology 端子类型 表面安装  陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装   封装/外壳 1210  Syfer Technology 封装/外壳 1210  陶瓷多层电容器 封装/外壳 1210  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 封装/外壳 1210   高度 2mm  Syfer Technology 高度 2mm  陶瓷多层电容器 高度 2mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 高度 2mm   容差 ±5%  Syfer Technology 容差 ±5%  陶瓷多层电容器 容差 ±5%  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 ±5%   容差 负 -5%  Syfer Technology 容差 负 -5%  陶瓷多层电容器 容差 负 -5%  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 负 -5%   容差 正 +5%  Syfer Technology 容差 正 +5%  陶瓷多层电容器 容差 正 +5%  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 正 +5%   深度 2.5mm  Syfer Technology 深度 2.5mm  陶瓷多层电容器 深度 2.5mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 深度 2.5mm   温度系数 0 → +30ppm/°C  Syfer Technology 温度系数 0 → +30ppm/°C  陶瓷多层电容器 温度系数 0 → +30ppm/°C  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 温度系数 0 → +30ppm/°C   系列 Standard  Syfer Technology 系列 Standard  陶瓷多层电容器 系列 Standard  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 系列 Standard   最低工作温度 -55°C  Syfer Technology 最低工作温度 -55°C  陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C   最高工作温度 +125°C  Syfer Technology 最高工作温度 +125°C  陶瓷多层电容器 最高工作温度 +125°C  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 最高工作温度 +125°C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

1210J1K00101JCT产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号