1206J1K00102KXT,774-0566,Syfer Technology Standard 系列 1nF 1 kV X7R电介质 SMD 多层陶瓷电容器 (MLCC) 1206J1K00102KXT, ±5%容差, 1206封装 ,Syfer Technology
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1206J1K00102KXT
Syfer Technology Standard 系列 1nF 1 kV X7R电介质 SMD 多层陶瓷电容器 (MLCC) 1206J1K00102KXT, ±5%容差, 1206封装
制造商零件编号:
1206J1K00102KXT
制造商:
Syfer Technology
Syfer Technology
库存编号:
774-0566
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
1206J1K00102KXT产品详细信息
Syfer MLCC 1206
适用于所有通用和高可靠性应用
全部使用 Syfer 的独特湿处理制成并包含贵金属电极
1206J1K00102KXT产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.2mm
尺寸
3.2 x 1.6 x 1.6mm
电介质
X7R
电容值
1 nF
电压
1 kV
端子类型
表面安装
封装/外壳
1206
高度
1.6mm
容差
±5%
容差 负
-5%
容差 正
+5%
深度
1.6mm
温度系数
0 → +30ppm/°C
系列
Standard
最低工作温度
-55°C
最高工作温度
+125°C
关键词
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长度 3.2mm
Syfer Technology 长度 3.2mm
陶瓷多层电容器 长度 3.2mm
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 长度 3.2mm
尺寸 3.2 x 1.6 x 1.6mm
Syfer Technology 尺寸 3.2 x 1.6 x 1.6mm
陶瓷多层电容器 尺寸 3.2 x 1.6 x 1.6mm
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 尺寸 3.2 x 1.6 x 1.6mm
电介质 X7R
Syfer Technology 电介质 X7R
陶瓷多层电容器 电介质 X7R
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电介质 X7R
电容值 1 nF
Syfer Technology 电容值 1 nF
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电压 1 kV
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端子类型 表面安装
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陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装
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封装/外壳 1206
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陶瓷多层电容器 封装/外壳 1206
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高度 1.6mm
Syfer Technology 高度 1.6mm
陶瓷多层电容器 高度 1.6mm
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 高度 1.6mm
容差 ±5%
Syfer Technology 容差 ±5%
陶瓷多层电容器 容差 ±5%
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 ±5%
容差 负 -5%
Syfer Technology 容差 负 -5%
陶瓷多层电容器 容差 负 -5%
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 负 -5%
容差 正 +5%
Syfer Technology 容差 正 +5%
陶瓷多层电容器 容差 正 +5%
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 正 +5%
深度 1.6mm
Syfer Technology 深度 1.6mm
陶瓷多层电容器 深度 1.6mm
Syfer Technology 陶瓷多层电容器 深度 1.6mm
温度系数 0 → +30ppm/°C
Syfer Technology 温度系数 0 → +30ppm/°C
陶瓷多层电容器 温度系数 0 → +30ppm/°C
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系列 Standard
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最高工作温度 +125°C
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陶瓷多层电容器 最高工作温度 +125°C
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1206J1K00102KXT产品技术参数资料
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