1111J1K01P50CQT,773-9336,Syfer Technology MS 系列 1.5pF 1 kV 陶瓷电介质 SMD 多层陶瓷电容器 (MLCC) 1111J1K01P50CQT, ±0.25pF容差, 1111封装 ,Syfer Technology
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Syfer Technology MS 系列 1.5pF 1 kV 陶瓷电介质 SMD 多层陶瓷电容器 (MLCC) 1111J1K01P50CQT, ±0.25pF容差, 1111封装

制造商零件编号：
1111J1K01P50CQT
库存编号：
773-9336
Syfer Technology 1111J1K01P50CQT
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

1111J1K01P50CQT产品详细信息

Syfer 高 Q 电介质多层

Syfer MS 系列提供非常稳定的高 Q 材料系统，可在低于 3GHz 的系统中提供极佳的低损耗性能
多种端接选件，包括 FlexiCap?
高频电容器，适用于需要经济高性能的许多应用

1111J1K01P50CQT产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.79mm  
  尺寸  2.79 x 2.79 x 2.54mm  
  电介质  陶瓷  
  电容值  1.5 pF  
  电压  1 kV  
  端子类型  表面安装  
  封装/外壳  1111  
  高度  2.54mm  
  容差  ±0.25pF  
  容差 负  -0.25pF  
  容差 正  +0.25pF  
  深度  2.79mm  
  温度系数  ±30ppm/°C  
  系列  MS  
  最低工作温度  -55°C  
  最高工作温度  +125°C  
关键词         

1111J1K01P50CQT相关搜索

安装类型 表面贴装  Syfer Technology 安装类型 表面贴装  陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装   长度 2.79mm  Syfer Technology 长度 2.79mm  陶瓷多层电容器 长度 2.79mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 长度 2.79mm   尺寸 2.79 x 2.79 x 2.54mm  Syfer Technology 尺寸 2.79 x 2.79 x 2.54mm  陶瓷多层电容器 尺寸 2.79 x 2.79 x 2.54mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 尺寸 2.79 x 2.79 x 2.54mm   电介质 陶瓷  Syfer Technology 电介质 陶瓷  陶瓷多层电容器 电介质 陶瓷  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电介质 陶瓷   电容值 1.5 pF  Syfer Technology 电容值 1.5 pF  陶瓷多层电容器 电容值 1.5 pF  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电容值 1.5 pF   电压 1 kV  Syfer Technology 电压 1 kV  陶瓷多层电容器 电压 1 kV  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电压 1 kV   端子类型 表面安装  Syfer Technology 端子类型 表面安装  陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装   封装/外壳 1111  Syfer Technology 封装/外壳 1111  陶瓷多层电容器 封装/外壳 1111  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 封装/外壳 1111   高度 2.54mm  Syfer Technology 高度 2.54mm  陶瓷多层电容器 高度 2.54mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 高度 2.54mm   容差 ±0.25pF  Syfer Technology 容差 ±0.25pF  陶瓷多层电容器 容差 ±0.25pF  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 ±0.25pF   容差 负 -0.25pF  Syfer Technology 容差 负 -0.25pF  陶瓷多层电容器 容差 负 -0.25pF  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 负 -0.25pF   容差 正 +0.25pF  Syfer Technology 容差 正 +0.25pF  陶瓷多层电容器 容差 正 +0.25pF  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 正 +0.25pF   深度 2.79mm  Syfer Technology 深度 2.79mm  陶瓷多层电容器 深度 2.79mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 深度 2.79mm   温度系数 ±30ppm/°C  Syfer Technology 温度系数 ±30ppm/°C  陶瓷多层电容器 温度系数 ±30ppm/°C  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 温度系数 ±30ppm/°C   系列 MS  Syfer Technology 系列 MS  陶瓷多层电容器 系列 MS  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 系列 MS   最低工作温度 -55°C  Syfer Technology 最低工作温度 -55°C  陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C   最高工作温度 +125°C  Syfer Technology 最高工作温度 +125°C  陶瓷多层电容器 最高工作温度 +125°C  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 最高工作温度 +125°C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

1111J1K01P50CQT产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号