060322001P00BCT,773-8591,Syfer Technology MS 系列 1pF 200 V C0G，NP0电介质 SMD 多层陶瓷电容器 (MLCC) 060322001P00BCT, ±0.1pF容差, 0603封装 ,Syfer Technology
ROHM代理商
专业代理销售ROHM（罗姆）全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索：    
热门搜索词：万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Syfer Technology MS 系列 1pF 200 V C0G，NP0电介质 SMD 多层陶瓷电容器 (MLCC) 060322001P00BCT, ±0.1pF容差, 0603封装

制造商零件编号：
060322001P00BCT
库存编号：
773-8591
Syfer Technology 060322001P00BCT
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

060322001P00BCT产品详细信息

Syfer 非磁性 0603 多层

多层陶瓷电容器，采用银/钯 (Ag/Pd) 端接，通常用于医疗应用中，例如磁共振设备中。 由于镍具有良好的磁性特性，所以不适合使用传统的镍挡板端接
在提供此铜挡板端接时可选择非磁性 C0G/NP0、高 Q 和 X7R 电介质，提供完全非磁性的元件
C0G/NP0 电介质采用烧结端接，X7R 电介质采用 Syfer 屡获大奖的 FlexiCap? 端接

060322001P00BCT产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  1.6mm  
  尺寸  1.6 x 0.8 x 0.8mm  
  电介质  C0G，NP0  
  电容值  1 pF  
  电压  200 V  
  端子类型  表面安装  
  封装/外壳  0603  
  高度  0.8mm  
  容差  ±0.1pF  
  容差 负  -0.1pF  
  容差 正  +0.1pF  
  深度  0.8mm  
  温度系数  ±30ppm/°C  
  系列  MS  
  最低工作温度  -55°C  
  最高工作温度  +125°C  
关键词         

060322001P00BCT相关搜索

安装类型 表面贴装  Syfer Technology 安装类型 表面贴装  陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装   长度 1.6mm  Syfer Technology 长度 1.6mm  陶瓷多层电容器 长度 1.6mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 长度 1.6mm   尺寸 1.6 x 0.8 x 0.8mm  Syfer Technology 尺寸 1.6 x 0.8 x 0.8mm  陶瓷多层电容器 尺寸 1.6 x 0.8 x 0.8mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 尺寸 1.6 x 0.8 x 0.8mm   电介质 C0G，NP0  Syfer Technology 电介质 C0G，NP0  陶瓷多层电容器 电介质 C0G，NP0  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电介质 C0G，NP0   电容值 1 pF  Syfer Technology 电容值 1 pF  陶瓷多层电容器 电容值 1 pF  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电容值 1 pF   电压 200 V  Syfer Technology 电压 200 V  陶瓷多层电容器 电压 200 V  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电压 200 V   端子类型 表面安装  Syfer Technology 端子类型 表面安装  陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装   封装/外壳 0603  Syfer Technology 封装/外壳 0603  陶瓷多层电容器 封装/外壳 0603  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 封装/外壳 0603   高度 0.8mm  Syfer Technology 高度 0.8mm  陶瓷多层电容器 高度 0.8mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 高度 0.8mm   容差 ±0.1pF  Syfer Technology 容差 ±0.1pF  陶瓷多层电容器 容差 ±0.1pF  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 ±0.1pF   容差 负 -0.1pF  Syfer Technology 容差 负 -0.1pF  陶瓷多层电容器 容差 负 -0.1pF  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 负 -0.1pF   容差 正 +0.1pF  Syfer Technology 容差 正 +0.1pF  陶瓷多层电容器 容差 正 +0.1pF  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 正 +0.1pF   深度 0.8mm  Syfer Technology 深度 0.8mm  陶瓷多层电容器 深度 0.8mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 深度 0.8mm   温度系数 ±30ppm/°C  Syfer Technology 温度系数 ±30ppm/°C  陶瓷多层电容器 温度系数 ±30ppm/°C  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 温度系数 ±30ppm/°C   系列 MS  Syfer Technology 系列 MS  陶瓷多层电容器 系列 MS  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 系列 MS   最低工作温度 -55°C  Syfer Technology 最低工作温度 -55°C  陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C   最高工作温度 +125°C  Syfer Technology 最高工作温度 +125°C  陶瓷多层电容器 最高工作温度 +125°C  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 最高工作温度 +125°C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669

060322001P00BCT产品技术参数资料

ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号