C3225JB1C106K,601-0378,TDK 10μF 16 V 直流 B电介质 SMD 多层陶瓷电容器 C3225JB1C106K, ±10%容差, 1210封装 ,TDK
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C3225JB1C106K
TDK 10μF 16 V 直流 B电介质 SMD 多层陶瓷电容器 C3225JB1C106K, ±10%容差, 1210封装
制造商零件编号:
C3225JB1C106K
制造商:
TDK
TDK
库存编号:
601-0378
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
C3225JB1C106K产品详细信息
C 系列 1210 (3225) 规格
1210(3225 公制)规格的片状电容器:3.2 (±0.4) x 2.5 (±0.3) mm
低杂散电容可确保和额定值高度一致,从而简化了设计流程
低剩余电感可确保卓越的高频特性
产品规格
尺寸 (mm)
L.3.2 (±0.4),W.2.5 (±0.3)
工作温度
范围
-25 到 +85°C
反应性温度
系数或变化速率
±10% (B)
C3225JB1C106K产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.2mm
尺寸
3.2 x 2.5 x 2mm
电介质
B
电容值
10 μF
电压
16 V 直流
端子类型
表面安装
封装/外壳
1210
高度
2mm
容差
±10%
容差 负
-10%
容差 正
+10%
深度
2.5mm
温度系数
±10%
最低工作温度
-25°C
最高工作温度
+85°C
关键词
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长度 3.2mm
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陶瓷多层电容器 长度 3.2mm
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尺寸 3.2 x 2.5 x 2mm
TDK 尺寸 3.2 x 2.5 x 2mm
陶瓷多层电容器 尺寸 3.2 x 2.5 x 2mm
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电介质 B
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电容值 10 μF
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陶瓷多层电容器 电容值 10 μF
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电压 16 V 直流
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陶瓷多层电容器 电压 16 V 直流
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端子类型 表面安装
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陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装
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封装/外壳 1210
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高度 2mm
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陶瓷多层电容器 高度 2mm
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容差 ±10%
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陶瓷多层电容器 容差 ±10%
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容差 负 -10%
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陶瓷多层电容器 容差 负 -10%
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容差 正 +10%
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陶瓷多层电容器 容差 正 +10%
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深度 2.5mm
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陶瓷多层电容器 深度 2.5mm
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温度系数 ±10%
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陶瓷多层电容器 温度系数 ±10%
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最低工作温度 -25°C
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陶瓷多层电容器 最低工作温度 -25°C
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最高工作温度 +85°C
TDK 最高工作温度 +85°C
陶瓷多层电容器 最高工作温度 +85°C
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C3225JB1C106K产品技术参数资料
C Series (Commercial Grade) Datasheet_EN
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