0805J050 0473MXE01,192-689,Syfer Technology Standard 系列 47nF 50 V 直流 X7R电介质 SMD 多层陶瓷电容器 (MLCC) 0805J050 0473MXE01, ±20%容差, 0805封装 ,Syfer Technology
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Syfer Technology Standard 系列 47nF 50 V 直流 X7R电介质 SMD 多层陶瓷电容器 (MLCC) 0805J050 0473MXE01, ±20%容差, 0805封装

制造商零件编号:
0805J050 0473MXE01
库存编号:
192-689
Syfer Technology 0805J050 0473MXE01
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

0805J050 0473MXE01产品详细信息

0805//1806 系列

3 个接线端子芯片适用于数字电路和其它信号线中的 EMI 抑制
提供 C0G(MCE 后缀)和 X7R(MXE 后缀)电介质类型
银端接基座,带镍挡板(100% 表面无光泽锡抛光)

0805J050 0473MXE01产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2mm  
  尺寸  2 x 1.25 x 1.3mm  
  电介质  X7R  
  电容值  47 nF  
  电压  50 V 直流  
  端子类型  表面安装  
  封装/外壳  0805  
  高度  1.3mm  
  容差  ±20%  
  容差 负  -20%  
  容差 正  +20%  
  深度  1.25mm  
  系列  Standard  
  最低工作温度  -55°C  
  最高工作温度  +125°C  
关键词         

0805J050 0473MXE01相关搜索

安装类型 表面贴装  Syfer Technology 安装类型 表面贴装  陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 安装类型 表面贴装   长度 2mm  Syfer Technology 长度 2mm  陶瓷多层电容器 长度 2mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 长度 2mm   尺寸 2 x 1.25 x 1.3mm  Syfer Technology 尺寸 2 x 1.25 x 1.3mm  陶瓷多层电容器 尺寸 2 x 1.25 x 1.3mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 尺寸 2 x 1.25 x 1.3mm   电介质 X7R  Syfer Technology 电介质 X7R  陶瓷多层电容器 电介质 X7R  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电介质 X7R   电容值 47 nF  Syfer Technology 电容值 47 nF  陶瓷多层电容器 电容值 47 nF  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电容值 47 nF   电压 50 V 直流  Syfer Technology 电压 50 V 直流  陶瓷多层电容器 电压 50 V 直流  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 电压 50 V 直流   端子类型 表面安装  Syfer Technology 端子类型 表面安装  陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 端子类型 表面安装   封装/外壳 0805  Syfer Technology 封装/外壳 0805  陶瓷多层电容器 封装/外壳 0805  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 封装/外壳 0805   高度 1.3mm  Syfer Technology 高度 1.3mm  陶瓷多层电容器 高度 1.3mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 高度 1.3mm   容差 ±20%  Syfer Technology 容差 ±20%  陶瓷多层电容器 容差 ±20%  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 ±20%   容差 负 -20%  Syfer Technology 容差 负 -20%  陶瓷多层电容器 容差 负 -20%  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 负 -20%   容差 正 +20%  Syfer Technology 容差 正 +20%  陶瓷多层电容器 容差 正 +20%  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 容差 正 +20%   深度 1.25mm  Syfer Technology 深度 1.25mm  陶瓷多层电容器 深度 1.25mm  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 深度 1.25mm   系列 Standard  Syfer Technology 系列 Standard  陶瓷多层电容器 系列 Standard  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 系列 Standard   最低工作温度 -55°C  Syfer Technology 最低工作温度 -55°C  陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 最低工作温度 -55°C   最高工作温度 +125°C  Syfer Technology 最高工作温度 +125°C  陶瓷多层电容器 最高工作温度 +125°C  Syfer Technology 陶瓷多层电容器 最高工作温度 +125°C  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号