MC14049UBDR2G,791-6088,ON Semiconductor DTL, TTL 系列 六 三态 反相 缓冲器 MC14049UBDR2G, 16引脚 SOIC封装 No ,ON Semiconductor
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MC14049UBDR2G
ON Semiconductor DTL, TTL 系列 六 三态 反相 缓冲器 MC14049UBDR2G, 16引脚 SOIC封装 No
制造商零件编号:
MC14049UBDR2G
制造商:
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号:
791-6088
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
MC14049UBDR2G产品详细信息
4000 系列变频器和缓冲器,ON Semiconductor
MC14049UBDR2G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
10mm
尺寸
10 x 4 x 1.5mm
传输延迟测试条件
50pF
封装类型
SOIC
高度
1.5mm
极性
反相
宽度
4mm
逻辑功能
缓冲器
逻辑系列
DTL, TTL
施密特触发器输入
否
输出类型
三态
输入类型
单端
通道数目
6
引脚数目
16
最长传播延迟时间@最长CL
120ns
最大低电平输出电流
30mA
最大高电平输出电流
-4.7mA
最大工作电源电压
18 V
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+125 °C
最小工作电源电压
-0.5 V
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安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
缓冲器 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 缓冲器 安装类型 表面贴装
长度 10mm
ON Semiconductor 长度 10mm
缓冲器 长度 10mm
ON Semiconductor 缓冲器 长度 10mm
尺寸 10 x 4 x 1.5mm
ON Semiconductor 尺寸 10 x 4 x 1.5mm
缓冲器 尺寸 10 x 4 x 1.5mm
ON Semiconductor 缓冲器 尺寸 10 x 4 x 1.5mm
传输延迟测试条件 50pF
ON Semiconductor 传输延迟测试条件 50pF
缓冲器 传输延迟测试条件 50pF
ON Semiconductor 缓冲器 传输延迟测试条件 50pF
封装类型 SOIC
ON Semiconductor 封装类型 SOIC
缓冲器 封装类型 SOIC
ON Semiconductor 缓冲器 封装类型 SOIC
高度 1.5mm
ON Semiconductor 高度 1.5mm
缓冲器 高度 1.5mm
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极性 反相
ON Semiconductor 极性 反相
缓冲器 极性 反相
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宽度 4mm
ON Semiconductor 宽度 4mm
缓冲器 宽度 4mm
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逻辑功能 缓冲器
ON Semiconductor 逻辑功能 缓冲器
缓冲器 逻辑功能 缓冲器
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逻辑系列 DTL, TTL
ON Semiconductor 逻辑系列 DTL, TTL
缓冲器 逻辑系列 DTL, TTL
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施密特触发器输入 否
ON Semiconductor 施密特触发器输入 否
缓冲器 施密特触发器输入 否
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输出类型 三态
ON Semiconductor 输出类型 三态
缓冲器 输出类型 三态
ON Semiconductor 缓冲器 输出类型 三态
输入类型 单端
ON Semiconductor 输入类型 单端
缓冲器 输入类型 单端
ON Semiconductor 缓冲器 输入类型 单端
通道数目 6
ON Semiconductor 通道数目 6
缓冲器 通道数目 6
ON Semiconductor 缓冲器 通道数目 6
引脚数目 16
ON Semiconductor 引脚数目 16
缓冲器 引脚数目 16
ON Semiconductor 缓冲器 引脚数目 16
最长传播延迟时间@最长CL 120ns
ON Semiconductor 最长传播延迟时间@最长CL 120ns
缓冲器 最长传播延迟时间@最长CL 120ns
ON Semiconductor 缓冲器 最长传播延迟时间@最长CL 120ns
最大低电平输出电流 30mA
ON Semiconductor 最大低电平输出电流 30mA
缓冲器 最大低电平输出电流 30mA
ON Semiconductor 缓冲器 最大低电平输出电流 30mA
最大高电平输出电流 -4.7mA
ON Semiconductor 最大高电平输出电流 -4.7mA
缓冲器 最大高电平输出电流 -4.7mA
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最大工作电源电压 18 V
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缓冲器 最大工作电源电压 18 V
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最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
缓冲器 最低工作温度 -55 °C
ON Semiconductor 缓冲器 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +125 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +125 °C
缓冲器 最高工作温度 +125 °C
ON Semiconductor 缓冲器 最高工作温度 +125 °C
最小工作电源电压 -0.5 V
ON Semiconductor 最小工作电源电压 -0.5 V
缓冲器 最小工作电源电压 -0.5 V
ON Semiconductor 缓冲器 最小工作电源电压 -0.5 V
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MC14049UBDR2G产品技术参数资料
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