DBLS202G RD,652-6328,Taiwan Semiconductor DBLS202G RD 单相 整流桥, 2A 100V, 4引脚 DBLS封装 ,Taiwan Semiconductor
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DBLS202G RD
Taiwan Semiconductor DBLS202G RD 单相 整流桥, 2A 100V, 4引脚 DBLS封装
制造商零件编号:
DBLS202G RD
制造商:
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
库存编号:
652-6328
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
DBLS202G RD产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
8.51mm
尺寸
8.51 x 6.5 x 2.6mm
电桥类型
单相
封装类型
DBLS
峰值反向电流
10μA
峰值反向重复电压
100V
峰值非重复正向浪涌电流
50A
峰值平均正向电流
2A
峰值正向电压
1.15V
高度
2.6mm
宽度
6.5mm
配置
单
引脚数目
4
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
关键词
DBLS202G RD相关搜索
安装类型 表面贴装
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桥式整流器 安装类型 表面贴装
Taiwan Semiconductor 桥式整流器 安装类型 表面贴装
长度 8.51mm
Taiwan Semiconductor 长度 8.51mm
桥式整流器 长度 8.51mm
Taiwan Semiconductor 桥式整流器 长度 8.51mm
尺寸 8.51 x 6.5 x 2.6mm
Taiwan Semiconductor 尺寸 8.51 x 6.5 x 2.6mm
桥式整流器 尺寸 8.51 x 6.5 x 2.6mm
Taiwan Semiconductor 桥式整流器 尺寸 8.51 x 6.5 x 2.6mm
电桥类型 单相
Taiwan Semiconductor 电桥类型 单相
桥式整流器 电桥类型 单相
Taiwan Semiconductor 桥式整流器 电桥类型 单相
封装类型 DBLS
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桥式整流器 封装类型 DBLS
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峰值反向电流 10μA
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桥式整流器 峰值反向电流 10μA
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峰值反向重复电压 100V
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桥式整流器 峰值反向重复电压 100V
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峰值非重复正向浪涌电流 50A
Taiwan Semiconductor 峰值非重复正向浪涌电流 50A
桥式整流器 峰值非重复正向浪涌电流 50A
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峰值平均正向电流 2A
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桥式整流器 峰值平均正向电流 2A
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峰值正向电压 1.15V
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桥式整流器 峰值正向电压 1.15V
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高度 2.6mm
Taiwan Semiconductor 高度 2.6mm
桥式整流器 高度 2.6mm
Taiwan Semiconductor 桥式整流器 高度 2.6mm
宽度 6.5mm
Taiwan Semiconductor 宽度 6.5mm
桥式整流器 宽度 6.5mm
Taiwan Semiconductor 桥式整流器 宽度 6.5mm
配置 单
Taiwan Semiconductor 配置 单
桥式整流器 配置 单
Taiwan Semiconductor 桥式整流器 配置 单
引脚数目 4
Taiwan Semiconductor 引脚数目 4
桥式整流器 引脚数目 4
Taiwan Semiconductor 桥式整流器 引脚数目 4
最低工作温度 -55 °C
Taiwan Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
桥式整流器 最低工作温度 -55 °C
Taiwan Semiconductor 桥式整流器 最低工作温度 -55 °C
最高工作温度 +150 °C
Taiwan Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
桥式整流器 最高工作温度 +150 °C
Taiwan Semiconductor 桥式整流器 最高工作温度 +150 °C
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DBLS202G RD产品技术参数资料
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