BD244C,903-4100,Fairchild Semiconductor BD244C , PNP 晶体管, 6 A, Vce=100 V, HFE:30, 3引脚 TO-220封装 ,Fairchild Semiconductor
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BD244C
Fairchild Semiconductor BD244C , PNP 晶体管, 6 A, Vce=100 V, HFE:30, 3引脚 TO-220封装
制造商零件编号:
BD244C
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
903-4100
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BD244C产品详细信息
Power PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor
BD244C产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10mm
尺寸
10 x 4.5 x 15.95mm
封装类型
TO-220
高度
15.95mm
晶体管材料
Si
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
4.5mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
-5 V
最大功率耗散
65 W
最大集电极-发射极饱和电压
-1.5 V
最大集电极-发射极电压
100 V
最大集电极-基极电压
-100 V
最大直流集电极电流
6 A
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
30
关键词
BD244C相关搜索
安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔
双极晶体管 安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 安装类型 通孔
长度 10mm
Fairchild Semiconductor 长度 10mm
双极晶体管 长度 10mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 长度 10mm
尺寸 10 x 4.5 x 15.95mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 10 x 4.5 x 15.95mm
双极晶体管 尺寸 10 x 4.5 x 15.95mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 尺寸 10 x 4.5 x 15.95mm
封装类型 TO-220
Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220
双极晶体管 封装类型 TO-220
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TO-220
高度 15.95mm
Fairchild Semiconductor 高度 15.95mm
双极晶体管 高度 15.95mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 高度 15.95mm
晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor 晶体管材料 Si
双极晶体管 晶体管材料 Si
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管材料 Si
晶体管类型 PNP
Fairchild Semiconductor 晶体管类型 PNP
双极晶体管 晶体管类型 PNP
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.5mm
Fairchild Semiconductor 宽度 4.5mm
双极晶体管 宽度 4.5mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 宽度 4.5mm
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 -5 V
Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 -5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
最大功率耗散 65 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 65 W
双极晶体管 最大功率耗散 65 W
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 65 W
最大集电极-发射极饱和电压 -1.5 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -1.5 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -1.5 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -1.5 V
最大集电极-发射极电压 100 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 100 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
最大集电极-基极电压 -100 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极电压 -100 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 -100 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 -100 V
最大直流集电极电流 6 A
Fairchild Semiconductor 最大直流集电极电流 6 A
双极晶体管 最大直流集电极电流 6 A
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 6 A
最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 30
Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 30
双极晶体管 最小直流电流增益 30
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 30
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BD244C产品技术参数资料
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