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安装类型	表面贴装
长度	6.5mm
尺寸	6.5 x 5.8 x 2.3mm
封装类型	TO-252
高度	2.3mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	5.8mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	15 V
最大功率耗散	30 W
最大基极-发射极饱和电压	1.6 V
最大集电极-发射极饱和电压	3 V
最大集电极-发射极电压	450 V
最大集电极-基极电压	1050 V
最大直流集电极电流	2.5 A
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	18
关键词

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• TSC5802D, High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor