TSC4505CX RFG,901-4061,Taiwan Semiconductor TSC4505CX RFG , NPN 晶体管, 300 mA, Vce=400 V, HFE:100, 10 MHz, 3引脚 SOT-23封装 ,Taiwan Semiconductor
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TSC4505CX RFG
Taiwan Semiconductor TSC4505CX RFG , NPN 晶体管, 300 mA, Vce=400 V, HFE:100, 10 MHz, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号:
TSC4505CX RFG
制造商:
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
库存编号:
901-4061
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TSC4505CX RFG产品详细信息
高电压 NPN 晶体管,Taiwan Semiconductor
TSC4505CX RFG产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
3.1mm
尺寸
3.1 x 1.7 x 1.2mm
封装类型
SOT-23
高度
1.2mm
晶体管材料
Si
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
1.7mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
6 V
最大工作频率
10 MHz
最大功率耗散
225 mW
最大基极-发射极饱和电压
1.5 V
最大集电极-发射极饱和电压
0.5 V
最大集电极-发射极电压
400 V
最大集电极-基极电压
400 V
最大直流集电极电流
300 mA
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
100
关键词
TSC4505CX RFG相关搜索
安装类型 表面贴装
Taiwan Semiconductor 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 3.1mm
Taiwan Semiconductor 长度 3.1mm
双极晶体管 长度 3.1mm
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 长度 3.1mm
尺寸 3.1 x 1.7 x 1.2mm
Taiwan Semiconductor 尺寸 3.1 x 1.7 x 1.2mm
双极晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1.2mm
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 尺寸 3.1 x 1.7 x 1.2mm
封装类型 SOT-23
Taiwan Semiconductor 封装类型 SOT-23
双极晶体管 封装类型 SOT-23
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 封装类型 SOT-23
高度 1.2mm
Taiwan Semiconductor 高度 1.2mm
双极晶体管 高度 1.2mm
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 高度 1.2mm
晶体管材料 Si
Taiwan Semiconductor 晶体管材料 Si
双极晶体管 晶体管材料 Si
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 晶体管材料 Si
晶体管类型 NPN
Taiwan Semiconductor 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
Taiwan Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
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宽度 1.7mm
Taiwan Semiconductor 宽度 1.7mm
双极晶体管 宽度 1.7mm
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 宽度 1.7mm
每片芯片元件数目 1
Taiwan Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
Taiwan Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 6 V
Taiwan Semiconductor 最大发射极-基极电压 6 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
最大工作频率 10 MHz
Taiwan Semiconductor 最大工作频率 10 MHz
双极晶体管 最大工作频率 10 MHz
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 10 MHz
最大功率耗散 225 mW
Taiwan Semiconductor 最大功率耗散 225 mW
双极晶体管 最大功率耗散 225 mW
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 225 mW
最大基极-发射极饱和电压 1.5 V
Taiwan Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 1.5 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.5 V
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.5 V
最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V
Taiwan Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V
最大集电极-发射极电压 400 V
Taiwan Semiconductor 最大集电极-发射极电压 400 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 400 V
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 400 V
最大集电极-基极电压 400 V
Taiwan Semiconductor 最大集电极-基极电压 400 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 400 V
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 400 V
最大直流集电极电流 300 mA
Taiwan Semiconductor 最大直流集电极电流 300 mA
双极晶体管 最大直流集电极电流 300 mA
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 300 mA
最低工作温度 -55 °C
Taiwan Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
双极晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
Taiwan Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 100
Taiwan Semiconductor 最小直流电流增益 100
双极晶体管 最小直流电流增益 100
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 100
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TSC4505CX RFG产品技术参数资料
TSC4505, High Voltage NPN Transistor
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