TSA1765CW RPG,901-4045,Taiwan Semiconductor TSA1765CW RPG , PNP 晶体管, 150 mA, Vce=560 V, HFE:80, 1 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装 ,Taiwan Semiconductor
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TSA1765CW RPG
Taiwan Semiconductor TSA1765CW RPG , PNP 晶体管, 150 mA, Vce=560 V, HFE:80, 1 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
制造商零件编号:
TSA1765CW RPG
制造商:
Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor
库存编号:
901-4045
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
TSA1765CW RPG产品详细信息
高电压 PNP 晶体管,Taiwan Semiconductor
TSA1765CW RPG产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.5mm
尺寸
6.5 x 3.5 x 1.65mm
封装类型
SOT-223
高度
1.65mm
晶体管材料
Si
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
3.5mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3 + Tab
最大发射极-基极电压
-7 V
最大工作频率
1 MHz
最大功率耗散
2 W
最大基极-发射极饱和电压
-1 V
最大集电极-发射极饱和电压
-0.5 V
最大集电极-发射极电压
560 V
最大集电极-基极电压
-560 V
最大直流集电极电流
150 mA
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
80
关键词
TSA1765CW RPG相关搜索
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双极晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 6.5mm
Taiwan Semiconductor 长度 6.5mm
双极晶体管 长度 6.5mm
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 长度 6.5mm
尺寸 6.5 x 3.5 x 1.65mm
Taiwan Semiconductor 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.65mm
双极晶体管 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.65mm
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 尺寸 6.5 x 3.5 x 1.65mm
封装类型 SOT-223
Taiwan Semiconductor 封装类型 SOT-223
双极晶体管 封装类型 SOT-223
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 封装类型 SOT-223
高度 1.65mm
Taiwan Semiconductor 高度 1.65mm
双极晶体管 高度 1.65mm
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 高度 1.65mm
晶体管材料 Si
Taiwan Semiconductor 晶体管材料 Si
双极晶体管 晶体管材料 Si
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晶体管类型 PNP
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双极晶体管 晶体管类型 PNP
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
Taiwan Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
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宽度 3.5mm
Taiwan Semiconductor 宽度 3.5mm
双极晶体管 宽度 3.5mm
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每片芯片元件数目 1
Taiwan Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3 + Tab
Taiwan Semiconductor 引脚数目 3 + Tab
双极晶体管 引脚数目 3 + Tab
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3 + Tab
最大发射极-基极电压 -7 V
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双极晶体管 最大发射极-基极电压 -7 V
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -7 V
最大工作频率 1 MHz
Taiwan Semiconductor 最大工作频率 1 MHz
双极晶体管 最大工作频率 1 MHz
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 1 MHz
最大功率耗散 2 W
Taiwan Semiconductor 最大功率耗散 2 W
双极晶体管 最大功率耗散 2 W
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 2 W
最大基极-发射极饱和电压 -1 V
Taiwan Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 -1 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -1 V
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最大集电极-发射极饱和电压 -0.5 V
Taiwan Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -0.5 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.5 V
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -0.5 V
最大集电极-发射极电压 560 V
Taiwan Semiconductor 最大集电极-发射极电压 560 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 560 V
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 560 V
最大集电极-基极电压 -560 V
Taiwan Semiconductor 最大集电极-基极电压 -560 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 -560 V
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最大直流集电极电流 150 mA
Taiwan Semiconductor 最大直流集电极电流 150 mA
双极晶体管 最大直流集电极电流 150 mA
Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 150 mA
最低工作温度 -55 °C
Taiwan Semiconductor 最低工作温度 -55 °C
双极晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
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双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 80
Taiwan Semiconductor 最小直流电流增益 80
双极晶体管 最小直流电流增益 80
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TSA1765CW RPG产品技术参数资料
TSA1765, High Voltage PNP Epitaxial Planar Transistor
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