关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	通孔
长度	6.5mm
尺寸	6.5 x 2.3 x 7mm
封装类型	TO-251
高度	7mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	2.3mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	15 V
最大功率耗散	30 W
最大基极-发射极饱和电压	1.6 V
最大集电极-发射极饱和电压	3 V
最大集电极-发射极电压	1050 V
最大集电极-基极电压	1050 V
最大直流集电极电流	2.5 A
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	18
关键词

安装类型 通孔  Taiwan Semiconductor 安装类型 通孔  双极晶体管 安装类型 通孔  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 安装类型 通孔   长度 6.5mm  Taiwan Semiconductor 长度 6.5mm  双极晶体管 长度 6.5mm  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 长度 6.5mm   尺寸 6.5 x 2.3 x 7mm  Taiwan Semiconductor 尺寸 6.5 x 2.3 x 7mm  双极晶体管 尺寸 6.5 x 2.3 x 7mm  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 尺寸 6.5 x 2.3 x 7mm   封装类型 TO-251  Taiwan Semiconductor 封装类型 TO-251  双极晶体管 封装类型 TO-251  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TO-251   高度 7mm  Taiwan Semiconductor 高度 7mm  双极晶体管 高度 7mm  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 高度 7mm   晶体管类型 NPN  Taiwan Semiconductor 晶体管类型 NPN  双极晶体管 晶体管类型 NPN  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Taiwan Semiconductor 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 2.3mm  Taiwan Semiconductor 宽度 2.3mm  双极晶体管 宽度 2.3mm  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 宽度 2.3mm   每片芯片元件数目 1  Taiwan Semiconductor 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Taiwan Semiconductor 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 15 V  Taiwan Semiconductor 最大发射极-基极电压 15 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 15 V  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 15 V   最大功率耗散 30 W  Taiwan Semiconductor 最大功率耗散 30 W  双极晶体管 最大功率耗散 30 W  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 30 W   最大基极-发射极饱和电压 1.6 V  Taiwan Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 1.6 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.6 V  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.6 V   最大集电极-发射极饱和电压 3 V  Taiwan Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 3 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 3 V  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 3 V   最大集电极-发射极电压 1050 V  Taiwan Semiconductor 最大集电极-发射极电压 1050 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 1050 V  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 1050 V   最大集电极-基极电压 1050 V  Taiwan Semiconductor 最大集电极-基极电压 1050 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 1050 V  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 1050 V   最大直流集电极电流 2.5 A  Taiwan Semiconductor 最大直流集电极电流 2.5 A  双极晶体管 最大直流集电极电流 2.5 A  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 2.5 A   最高工作温度 +150 °C  Taiwan Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 18  Taiwan Semiconductor 最小直流电流增益 18  双极晶体管 最小直流电流增益 18  Taiwan Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 18  

• TSC5802D, High Voltage Fast-Switching NPN Power Transistor