BFP 540 H6327,897-7425,Infineon BFP 540 H6327 , NPN 晶体管, 80 mA, Vce=14 V, HFE:50, 4引脚 SOT-343封装 ,Infineon
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BFP 540 H6327
Infineon BFP 540 H6327 , NPN 晶体管, 80 mA, Vce=14 V, HFE:50, 4引脚 SOT-343封装
制造商零件编号:
BFP 540 H6327
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
897-7425
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BFP 540 H6327产品详细信息
射频双极晶体管,Infineon
BFP 540 H6327产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2mm
尺寸
2 x 1.25 x 0.9mm
封装类型
SOT-343
高度
0.9mm
晶体管材料
Si
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
1.25mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
4
最大发射极-基极电压
1 V
最大功率耗散
250 mW
最大集电极-发射极电压
14 V
最大集电极-基极电压
14 V
最大直流集电极电流
80 mA
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
50
关键词
BFP 540 H6327相关搜索
安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2mm
Infineon 长度 2mm
双极晶体管 长度 2mm
Infineon 双极晶体管 长度 2mm
尺寸 2 x 1.25 x 0.9mm
Infineon 尺寸 2 x 1.25 x 0.9mm
双极晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.9mm
Infineon 双极晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.9mm
封装类型 SOT-343
Infineon 封装类型 SOT-343
双极晶体管 封装类型 SOT-343
Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-343
高度 0.9mm
Infineon 高度 0.9mm
双极晶体管 高度 0.9mm
Infineon 双极晶体管 高度 0.9mm
晶体管材料 Si
Infineon 晶体管材料 Si
双极晶体管 晶体管材料 Si
Infineon 双极晶体管 晶体管材料 Si
晶体管类型 NPN
Infineon 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
Infineon 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
Infineon 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.25mm
Infineon 宽度 1.25mm
双极晶体管 宽度 1.25mm
Infineon 双极晶体管 宽度 1.25mm
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 4
Infineon 引脚数目 4
双极晶体管 引脚数目 4
Infineon 双极晶体管 引脚数目 4
最大发射极-基极电压 1 V
Infineon 最大发射极-基极电压 1 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 1 V
Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 1 V
最大功率耗散 250 mW
Infineon 最大功率耗散 250 mW
双极晶体管 最大功率耗散 250 mW
Infineon 双极晶体管 最大功率耗散 250 mW
最大集电极-发射极电压 14 V
Infineon 最大集电极-发射极电压 14 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 14 V
Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 14 V
最大集电极-基极电压 14 V
Infineon 最大集电极-基极电压 14 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 14 V
Infineon 双极晶体管 最大集电极-基极电压 14 V
最大直流集电极电流 80 mA
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双极晶体管 最大直流集电极电流 80 mA
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最低工作温度 -65 °C
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双极晶体管 最低工作温度 -65 °C
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最高工作温度 +150 °C
Infineon 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 50
Infineon 最小直流电流增益 50
双极晶体管 最小直流电流增益 50
Infineon 双极晶体管 最小直流电流增益 50
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BFP 540 H6327产品技术参数资料
BFP540, Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor
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