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安装类型	表面贴装
长度	1.4mm
尺寸	1.4 x 0.8 x 0.55mm
封装类型	TSFP
高度	0.55mm
晶体管材料	Si
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	0.8mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	4
最大发射极-基极电压	1 V
最大功率耗散	120 mW
最大集电极-发射极电压	10 V
最大集电极-基极电压	10 V
最大直流集电极电流	50 mA
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	70
关键词

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• BFP520F, Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor