BCV 62A E6327,892-2387,Infineon BCV 62A E6327, 双 PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:100, 250 MHz, 4引脚 SOT-143封装 ,Infineon
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BCV 62A E6327
Infineon BCV 62A E6327, 双 PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:100, 250 MHz, 4引脚 SOT-143封装
制造商零件编号:
BCV 62A E6327
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
892-2387
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BCV 62A E6327产品详细信息
电流反射镜晶体管,Infineon
使用通用基座连接匹配双 NPN 和 PNP 晶体管,可用作电流反射镜对。
良好的热耦合和 V
BE
配接
高电流增益
低集电极-发射极饱和电压
BCV 62A E6327产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.9mm
尺寸
2.9 x 1.3 x 1mm
封装类型
SOT-143
高度
1mm
晶体管材料
Si
晶体管类型
PNP
晶体管配置
电流反射镜
宽度
1.3mm
每片芯片元件数目
2
引脚数目
4
最大发射极-基极电压
6 V
最大工作频率
250 MHz
最大功率耗散
300 mW
最大基极-发射极饱和电压
850 mV
最大集电极-发射极饱和电压
650 mV
最大集电极-发射极电压
30 V
最大集电极-基极电压
30 V
最大直流集电极电流
100 mA
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
100
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BCV 62A E6327相关搜索
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Infineon 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 2.9mm
Infineon 长度 2.9mm
双极晶体管 长度 2.9mm
Infineon 双极晶体管 长度 2.9mm
尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm
Infineon 尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm
双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm
Infineon 双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm
封装类型 SOT-143
Infineon 封装类型 SOT-143
双极晶体管 封装类型 SOT-143
Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-143
高度 1mm
Infineon 高度 1mm
双极晶体管 高度 1mm
Infineon 双极晶体管 高度 1mm
晶体管材料 Si
Infineon 晶体管材料 Si
双极晶体管 晶体管材料 Si
Infineon 双极晶体管 晶体管材料 Si
晶体管类型 PNP
Infineon 晶体管类型 PNP
双极晶体管 晶体管类型 PNP
Infineon 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 电流反射镜
Infineon 晶体管配置 电流反射镜
双极晶体管 晶体管配置 电流反射镜
Infineon 双极晶体管 晶体管配置 电流反射镜
宽度 1.3mm
Infineon 宽度 1.3mm
双极晶体管 宽度 1.3mm
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每片芯片元件数目 2
Infineon 每片芯片元件数目 2
双极晶体管 每片芯片元件数目 2
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引脚数目 4
Infineon 引脚数目 4
双极晶体管 引脚数目 4
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最大发射极-基极电压 6 V
Infineon 最大发射极-基极电压 6 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
最大工作频率 250 MHz
Infineon 最大工作频率 250 MHz
双极晶体管 最大工作频率 250 MHz
Infineon 双极晶体管 最大工作频率 250 MHz
最大功率耗散 300 mW
Infineon 最大功率耗散 300 mW
双极晶体管 最大功率耗散 300 mW
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最大基极-发射极饱和电压 850 mV
Infineon 最大基极-发射极饱和电压 850 mV
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 850 mV
Infineon 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 850 mV
最大集电极-发射极饱和电压 650 mV
Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 650 mV
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 650 mV
Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 650 mV
最大集电极-发射极电压 30 V
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双极晶体管 最大集电极-发射极电压 30 V
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最大直流集电极电流 100 mA
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最小直流电流增益 100
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BCV 62A E6327产品技术参数资料
BCV62, PNP Silicon Double Transistor
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