BFP 181 E7764,892-2355,Infineon BFP 181 E7764 NPN 晶体管, 20 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 4引脚 SOT-143封装 ,Infineon
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BFP 181 E7764
Infineon BFP 181 E7764 NPN 晶体管, 20 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 4引脚 SOT-143封装
制造商零件编号:
BFP 181 E7764
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
892-2355
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BFP 181 E7764产品详细信息
射频双极晶体管,Infineon
BFP 181 E7764产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.9mm
尺寸
2.9 x 1.3 x 1mm
封装类型
SOT-143
高度
1mm
晶体管材料
Si
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
1.3mm
引脚数目
4
最大发射极-基极电压
2 V
最大工作频率
8 GHz
最大功率耗散
175 mW
最大集电极-发射极电压
12 V
最大集电极-基极电压
20 V
最大直流集电极电流
20 mA
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
70
关键词
BFP 181 E7764相关搜索
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Infineon 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 2.9mm
Infineon 长度 2.9mm
双极晶体管 长度 2.9mm
Infineon 双极晶体管 长度 2.9mm
尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm
Infineon 尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm
双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm
Infineon 双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 1mm
封装类型 SOT-143
Infineon 封装类型 SOT-143
双极晶体管 封装类型 SOT-143
Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-143
高度 1mm
Infineon 高度 1mm
双极晶体管 高度 1mm
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晶体管材料 Si
Infineon 晶体管材料 Si
双极晶体管 晶体管材料 Si
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晶体管类型 NPN
Infineon 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
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晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
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宽度 1.3mm
Infineon 宽度 1.3mm
双极晶体管 宽度 1.3mm
Infineon 双极晶体管 宽度 1.3mm
引脚数目 4
Infineon 引脚数目 4
双极晶体管 引脚数目 4
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最大发射极-基极电压 2 V
Infineon 最大发射极-基极电压 2 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 2 V
Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 2 V
最大工作频率 8 GHz
Infineon 最大工作频率 8 GHz
双极晶体管 最大工作频率 8 GHz
Infineon 双极晶体管 最大工作频率 8 GHz
最大功率耗散 175 mW
Infineon 最大功率耗散 175 mW
双极晶体管 最大功率耗散 175 mW
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最大集电极-发射极电压 12 V
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双极晶体管 最大集电极-发射极电压 12 V
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最大集电极-基极电压 20 V
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双极晶体管 最大集电极-基极电压 20 V
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最大直流集电极电流 20 mA
Infineon 最大直流集电极电流 20 mA
双极晶体管 最大直流集电极电流 20 mA
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最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 70
Infineon 最小直流电流增益 70
双极晶体管 最小直流电流增益 70
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BFP 181 E7764产品技术参数资料
BFP181, Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor
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