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安装类型	表面贴装
长度	1.2mm
尺寸	1.2 x 0.8 x 0.55mm
封装类型	TSFP
高度	0.55mm
晶体管材料	Si
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	0.8mm
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	2 V
最大工作频率	14 GHz
最大功率耗散	210 mW
最大集电极-发射极电压	6 V
最大集电极-基极电压	15 V
最大直流集电极电流	35 mA
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	90
关键词

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• BFR360F, Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor