2SC5200-O(S1,F,S),890-2682,Toshiba 2SC5200-O(S1,F,S) , NPN 晶体管, 15 A, Vce=230 V, HFE:35, 3引脚 TO-3PL封装 ,Toshiba
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2SC5200-O(S1,F,S)
Toshiba 2SC5200-O(S1,F,S) , NPN 晶体管, 15 A, Vce=230 V, HFE:35, 3引脚 TO-3PL封装
制造商零件编号:
2SC5200-O(S1,F,S)
制造商:
Toshiba
Toshiba
库存编号:
890-2682
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
2SC5200-O(S1,F,S)产品详细信息
NPN 功率晶体管,Toshiba
2SC5200-O(S1,F,S)产品技术参数
安装类型
通孔
长度
20.5mm
尺寸
20.5 x 26 x 5.2mm
封装类型
TO-3PL
高度
5.2mm
晶体管材料
Si
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
26mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大功率耗散
150 W
最大集电极-发射极饱和电压
3 V
最大集电极-发射极电压
230 V
最大集电极-基极电压
230 V
最大直流集电极电流
15 A
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
35
关键词
2SC5200-O(S1,F,S)相关搜索
安装类型 通孔
Toshiba 安装类型 通孔
双极晶体管 安装类型 通孔
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长度 20.5mm
Toshiba 长度 20.5mm
双极晶体管 长度 20.5mm
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尺寸 20.5 x 26 x 5.2mm
Toshiba 尺寸 20.5 x 26 x 5.2mm
双极晶体管 尺寸 20.5 x 26 x 5.2mm
Toshiba 双极晶体管 尺寸 20.5 x 26 x 5.2mm
封装类型 TO-3PL
Toshiba 封装类型 TO-3PL
双极晶体管 封装类型 TO-3PL
Toshiba 双极晶体管 封装类型 TO-3PL
高度 5.2mm
Toshiba 高度 5.2mm
双极晶体管 高度 5.2mm
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晶体管材料 Si
Toshiba 晶体管材料 Si
双极晶体管 晶体管材料 Si
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晶体管类型 NPN
Toshiba 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
Toshiba 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
Toshiba 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
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宽度 26mm
Toshiba 宽度 26mm
双极晶体管 宽度 26mm
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每片芯片元件数目 1
Toshiba 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
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引脚数目 3
Toshiba 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
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最大发射极-基极电压 5 V
Toshiba 最大发射极-基极电压 5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
Toshiba 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大功率耗散 150 W
Toshiba 最大功率耗散 150 W
双极晶体管 最大功率耗散 150 W
Toshiba 双极晶体管 最大功率耗散 150 W
最大集电极-发射极饱和电压 3 V
Toshiba 最大集电极-发射极饱和电压 3 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 3 V
Toshiba 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 3 V
最大集电极-发射极电压 230 V
Toshiba 最大集电极-发射极电压 230 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 230 V
Toshiba 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 230 V
最大集电极-基极电压 230 V
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双极晶体管 最大集电极-基极电压 230 V
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最大直流集电极电流 15 A
Toshiba 最大直流集电极电流 15 A
双极晶体管 最大直流集电极电流 15 A
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最高工作温度 +150 °C
Toshiba 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 35
Toshiba 最小直流电流增益 35
双极晶体管 最小直流电流增益 35
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2SC5200-O(S1,F,S)产品技术参数资料
2SC5200, Silicon NPN Transistor for Power Amplifier Applications
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