2SC3138-Y(TE85L,F),890-2632,Toshiba 2SC3138-Y(TE85L,F) , NPN 双极晶体管, 50 mA, Vce=200 V, HFE:70, 3引脚 SC-59封装 ,Toshiba
ROHM代理商
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
美国1号分类选型新加坡2号分类选型英国10号分类选型英国2号分类选型日本5号分类选型

在本站结果里搜索:    
热门搜索词:万用表  电容  molex  连接器  NSX系列  63V 5mm  TDC180-5A  H8670VBAAA  804-8394  TDC180-5A

Toshiba 2SC3138-Y(TE85L,F) , NPN 双极晶体管, 50 mA, Vce=200 V, HFE:70, 3引脚 SC-59封装

制造商零件编号:
2SC3138-Y(TE85L,F)
制造商:
Toshiba Toshiba
库存编号:
890-2632
Toshiba 2SC3138-Y(TE85L,F)
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

2SC3138-Y(TE85L,F)产品详细信息

小信号 NPN 晶体管,Toshiba

2SC3138-Y(TE85L,F)产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.9mm  
  尺寸  2.9 x 1.5 x 1.1mm  
  封装类型  SC-59  
  高度  1.1mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管类型  NPN  
  晶体管配置  单  
  宽度  1.5mm  
  每片芯片元件数目  1  
  引脚数目  3  
  最大发射极-基极电压  5 V  
  最大功率耗散  150 mW  
  最大基极-发射极饱和电压  0.75 V  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.1 V  
  最大集电极-发射极电压  200 V  
  最大集电极-基极电压  200 V  
  最大直流集电极电流  50 mA  
  最高工作温度  +125 °C  
  最小直流电流增益  70  
关键词         

2SC3138-Y(TE85L,F)相关搜索

安装类型 表面贴装  Toshiba 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  Toshiba 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.9mm  Toshiba 长度 2.9mm  双极晶体管 长度 2.9mm  Toshiba 双极晶体管 长度 2.9mm   尺寸 2.9 x 1.5 x 1.1mm  Toshiba 尺寸 2.9 x 1.5 x 1.1mm  双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.5 x 1.1mm  Toshiba 双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.5 x 1.1mm   封装类型 SC-59  Toshiba 封装类型 SC-59  双极晶体管 封装类型 SC-59  Toshiba 双极晶体管 封装类型 SC-59   高度 1.1mm  Toshiba 高度 1.1mm  双极晶体管 高度 1.1mm  Toshiba 双极晶体管 高度 1.1mm   晶体管材料 Si  Toshiba 晶体管材料 Si  双极晶体管 晶体管材料 Si  Toshiba 双极晶体管 晶体管材料 Si   晶体管类型 NPN  Toshiba 晶体管类型 NPN  双极晶体管 晶体管类型 NPN  Toshiba 双极晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Toshiba 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Toshiba 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.5mm  Toshiba 宽度 1.5mm  双极晶体管 宽度 1.5mm  Toshiba 双极晶体管 宽度 1.5mm   每片芯片元件数目 1  Toshiba 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Toshiba 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Toshiba 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Toshiba 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 5 V  Toshiba 最大发射极-基极电压 5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V  Toshiba 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V   最大功率耗散 150 mW  Toshiba 最大功率耗散 150 mW  双极晶体管 最大功率耗散 150 mW  Toshiba 双极晶体管 最大功率耗散 150 mW   最大基极-发射极饱和电压 0.75 V  Toshiba 最大基极-发射极饱和电压 0.75 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 0.75 V  Toshiba 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 0.75 V   最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V  Toshiba 最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V  Toshiba 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.1 V   最大集电极-发射极电压 200 V  Toshiba 最大集电极-发射极电压 200 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 200 V  Toshiba 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 200 V   最大集电极-基极电压 200 V  Toshiba 最大集电极-基极电压 200 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 200 V  Toshiba 双极晶体管 最大集电极-基极电压 200 V   最大直流集电极电流 50 mA  Toshiba 最大直流集电极电流 50 mA  双极晶体管 最大直流集电极电流 50 mA  Toshiba 双极晶体管 最大直流集电极电流 50 mA   最高工作温度 +125 °C  Toshiba 最高工作温度 +125 °C  双极晶体管 最高工作温度 +125 °C  Toshiba 双极晶体管 最高工作温度 +125 °C   最小直流电流增益 70  Toshiba 最小直流电流增益 70  双极晶体管 最小直流电流增益 70  Toshiba 双极晶体管 最小直流电流增益 70  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
ROHM半导体简介  |  ROHM产品  |  ROHM动态  |  产品应用  |  按产品系列选型  |  按产品规格选型  |  ROHM选型手册
Copyright © 2017 http://www.rohm-chip.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号