ZTX855,885-5678,DiodesZetex ZTX855 , NPN 晶体管, 4 A, Vce=150 V, HFE:35, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装 ,DiodesZetex
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ZTX855
DiodesZetex ZTX855 , NPN 晶体管, 4 A, Vce=150 V, HFE:35, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装
制造商零件编号:
ZTX855
制造商:
DiodesZetex
DiodesZetex
库存编号:
885-5678
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ZTX855产品详细信息
通用 NPN 晶体管,高达 1.5A,Diodes Inc
ZTX855产品技术参数
安装类型
通孔
长度
4.77mm
尺寸
4.77 x 2.41 x 4.01mm
封装类型
TO-92
高度
4.01mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
2.41mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
6 V
最大工作频率
100 MHz
最大功率耗散
1.58 W
最大基极-发射极饱和电压
1100 mV
最大集电极-发射极饱和电压
260 mV
最大集电极-发射极电压
150 V
最大集电极-基极电压
250 V
最大直流集电极电流
4 A
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+200 °C
最小直流电流增益
35
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安装类型 通孔
DiodesZetex 安装类型 通孔
双极晶体管 安装类型 通孔
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长度 4.77mm
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双极晶体管 长度 4.77mm
DiodesZetex 双极晶体管 长度 4.77mm
尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm
DiodesZetex 尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm
双极晶体管 尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm
DiodesZetex 双极晶体管 尺寸 4.77 x 2.41 x 4.01mm
封装类型 TO-92
DiodesZetex 封装类型 TO-92
双极晶体管 封装类型 TO-92
DiodesZetex 双极晶体管 封装类型 TO-92
高度 4.01mm
DiodesZetex 高度 4.01mm
双极晶体管 高度 4.01mm
DiodesZetex 双极晶体管 高度 4.01mm
晶体管类型 NPN
DiodesZetex 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
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晶体管配置 单
DiodesZetex 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
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宽度 2.41mm
DiodesZetex 宽度 2.41mm
双极晶体管 宽度 2.41mm
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每片芯片元件数目 1
DiodesZetex 每片芯片元件数目 1
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DiodesZetex 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
DiodesZetex 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
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最大发射极-基极电压 6 V
DiodesZetex 最大发射极-基极电压 6 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
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最大工作频率 100 MHz
DiodesZetex 最大工作频率 100 MHz
双极晶体管 最大工作频率 100 MHz
DiodesZetex 双极晶体管 最大工作频率 100 MHz
最大功率耗散 1.58 W
DiodesZetex 最大功率耗散 1.58 W
双极晶体管 最大功率耗散 1.58 W
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最大基极-发射极饱和电压 1100 mV
DiodesZetex 最大基极-发射极饱和电压 1100 mV
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1100 mV
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最大集电极-发射极饱和电压 260 mV
DiodesZetex 最大集电极-发射极饱和电压 260 mV
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DiodesZetex 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 260 mV
最大集电极-发射极电压 150 V
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最大集电极-基极电压 250 V
DiodesZetex 最大集电极-基极电压 250 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 250 V
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最大直流集电极电流 4 A
DiodesZetex 最大直流集电极电流 4 A
双极晶体管 最大直流集电极电流 4 A
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最低工作温度 -55 °C
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双极晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +200 °C
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最小直流电流增益 35
DiodesZetex 最小直流电流增益 35
双极晶体管 最小直流电流增益 35
DiodesZetex 双极晶体管 最小直流电流增益 35
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ZTX855产品技术参数资料
ZTX855, 150V NPN Medium Power Transistor in E-Line
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英国2号品牌选型
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