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安装类型	通孔
长度	4.77mm
尺寸	4.77 x 2.41 x 4.01mm
封装类型	TO-92
高度	4.01mm
晶体管材料	Si
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	2.41mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	5 V
最大工作频率	50 MHz
最大功率耗散	1 W
最大基极-发射极饱和电压	1 V
最大集电极-发射极饱和电压	0.3 V
最大集电极-发射极电压	180 V
最大集电极-基极电压	300 V
最大直流集电极电流	500 mA
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+200 °C
最小直流电流增益	500
关键词

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• ZTX696B, NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor