SMBT3906SH6327,857-8740,Infineon SMBT3906SH6327 , PNP 晶体管, 200 mA, Vce=40 V, HFE:30, 250(最小)MHz, 6引脚 SOT-363封装 ,Infineon
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SMBT3906SH6327
Infineon SMBT3906SH6327 , PNP 晶体管, 200 mA, Vce=40 V, HFE:30, 250(最小)MHz, 6引脚 SOT-363封装
制造商零件编号:
SMBT3906SH6327
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
857-8740
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
SMBT3906SH6327产品详细信息
小信号 PNP 晶体管,Infineon
SMBT3906SH6327产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2mm
尺寸
2 x 1.25 x 0.8mm
封装类型
SOT-363
高度
0.8mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
1.25mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
6
最大发射极-基极电压
-6 V
最大工作频率
250(最小)MHz
最大功率耗散
250 mW
最大基极-发射极饱和电压
0.95 V
最大集电极-发射极饱和电压
0.4 V
最大集电极-发射极电压
40 V
最大集电极-基极电压
-40 V
最大直流集电极电流
200 mA
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
30
关键词
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双极晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2mm
Infineon 长度 2mm
双极晶体管 长度 2mm
Infineon 双极晶体管 长度 2mm
尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
Infineon 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
双极晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
Infineon 双极晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
封装类型 SOT-363
Infineon 封装类型 SOT-363
双极晶体管 封装类型 SOT-363
Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-363
高度 0.8mm
Infineon 高度 0.8mm
双极晶体管 高度 0.8mm
Infineon 双极晶体管 高度 0.8mm
晶体管类型 PNP
Infineon 晶体管类型 PNP
双极晶体管 晶体管类型 PNP
Infineon 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
Infineon 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.25mm
Infineon 宽度 1.25mm
双极晶体管 宽度 1.25mm
Infineon 双极晶体管 宽度 1.25mm
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 6
Infineon 引脚数目 6
双极晶体管 引脚数目 6
Infineon 双极晶体管 引脚数目 6
最大发射极-基极电压 -6 V
Infineon 最大发射极-基极电压 -6 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 -6 V
Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -6 V
最大工作频率 250(最小)MHz
Infineon 最大工作频率 250(最小)MHz
双极晶体管 最大工作频率 250(最小)MHz
Infineon 双极晶体管 最大工作频率 250(最小)MHz
最大功率耗散 250 mW
Infineon 最大功率耗散 250 mW
双极晶体管 最大功率耗散 250 mW
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最大基极-发射极饱和电压 0.95 V
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双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 0.95 V
Infineon 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 0.95 V
最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V
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最大集电极-发射极电压 40 V
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最小直流电流增益 30
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双极晶体管 最小直流电流增益 30
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SMBT3906SH6327产品技术参数资料
SMBT3906S/U Dual PNP Transistor
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