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安装类型	表面贴装
长度	2.9mm
尺寸	2.9 x 1.3 x 0.9mm
封装类型	SOT-143
高度	0.9mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	1.3mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	4
最大发射极-基极电压	2 V
最大工作频率	8 GHz
最大功率耗散	250 mW
最大集电极-发射极电压	12 V
最大集电极-基极电压	20 V
最大直流集电极电流	35 mA
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	70
关键词

安装类型 表面贴装  Infineon 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  Infineon 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.9mm  Infineon 长度 2.9mm  双极晶体管 长度 2.9mm  Infineon 双极晶体管 长度 2.9mm   尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  Infineon 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm  Infineon 双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm   封装类型 SOT-143  Infineon 封装类型 SOT-143  双极晶体管 封装类型 SOT-143  Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-143   高度 0.9mm  Infineon 高度 0.9mm  双极晶体管 高度 0.9mm  Infineon 双极晶体管 高度 0.9mm   晶体管类型 NPN  Infineon 晶体管类型 NPN  双极晶体管 晶体管类型 NPN  Infineon 双极晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Infineon 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Infineon 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.3mm  Infineon 宽度 1.3mm  双极晶体管 宽度 1.3mm  Infineon 双极晶体管 宽度 1.3mm   每片芯片元件数目 1  Infineon 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Infineon 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 4  Infineon 引脚数目 4  双极晶体管 引脚数目 4  Infineon 双极晶体管 引脚数目 4   最大发射极-基极电压 2 V  Infineon 最大发射极-基极电压 2 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 2 V  Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 2 V   最大工作频率 8 GHz  Infineon 最大工作频率 8 GHz  双极晶体管 最大工作频率 8 GHz  Infineon 双极晶体管 最大工作频率 8 GHz   最大功率耗散 250 mW  Infineon 最大功率耗散 250 mW  双极晶体管 最大功率耗散 250 mW  Infineon 双极晶体管 最大功率耗散 250 mW   最大集电极-发射极电压 12 V  Infineon 最大集电极-发射极电压 12 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 12 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 12 V   最大集电极-基极电压 20 V  Infineon 最大集电极-基极电压 20 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 20 V  Infineon 双极晶体管 最大集电极-基极电压 20 V   最大直流集电极电流 35 mA  Infineon 最大直流集电极电流 35 mA  双极晶体管 最大直流集电极电流 35 mA  Infineon 双极晶体管 最大直流集电极电流 35 mA   最高工作温度 +150 °C  Infineon 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Infineon 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 70  Infineon 最小直流电流增益 70  双极晶体管 最小直流电流增益 70  Infineon 双极晶体管 最小直流电流增益 70  

• BFP182R NPN Low Noise RF Transistor