BCW67CE6327,857-8400,Infineon BCW67CE6327 , PNP 晶体管, 800mA, Vce=32 V, HFE:35, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装 ,Infineon
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BCW67CE6327
Infineon BCW67CE6327 , PNP 晶体管, 800mA, Vce=32 V, HFE:35, 200 MHz, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号:
BCW67CE6327
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
857-8400
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BCW67CE6327产品详细信息
通用 PNP 晶体管,Infineon
BCW67CE6327产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.9mm
尺寸
2.9 x 1.3 x 0.9mm
封装类型
SOT-23
高度
0.9mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
1.3mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
-5 V
最大工作频率
200 MHz
最大功率耗散
330 mW
最大基极-发射极饱和电压
2 mV
最大集电极-发射极饱和电压
0.7 mV
最大集电极-发射极电压
32 V
最大集电极-基极电压
-45 V
最大直流集电极电流
800mA
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
35
关键词
BCW67CE6327相关搜索
安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.9mm
Infineon 长度 2.9mm
双极晶体管 长度 2.9mm
Infineon 双极晶体管 长度 2.9mm
尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
Infineon 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
Infineon 双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
封装类型 SOT-23
Infineon 封装类型 SOT-23
双极晶体管 封装类型 SOT-23
Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-23
高度 0.9mm
Infineon 高度 0.9mm
双极晶体管 高度 0.9mm
Infineon 双极晶体管 高度 0.9mm
晶体管类型 PNP
Infineon 晶体管类型 PNP
双极晶体管 晶体管类型 PNP
Infineon 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
Infineon 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.3mm
Infineon 宽度 1.3mm
双极晶体管 宽度 1.3mm
Infineon 双极晶体管 宽度 1.3mm
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
Infineon 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 -5 V
Infineon 最大发射极-基极电压 -5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
最大工作频率 200 MHz
Infineon 最大工作频率 200 MHz
双极晶体管 最大工作频率 200 MHz
Infineon 双极晶体管 最大工作频率 200 MHz
最大功率耗散 330 mW
Infineon 最大功率耗散 330 mW
双极晶体管 最大功率耗散 330 mW
Infineon 双极晶体管 最大功率耗散 330 mW
最大基极-发射极饱和电压 2 mV
Infineon 最大基极-发射极饱和电压 2 mV
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2 mV
Infineon 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 2 mV
最大集电极-发射极饱和电压 0.7 mV
Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 0.7 mV
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.7 mV
Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.7 mV
最大集电极-发射极电压 32 V
Infineon 最大集电极-发射极电压 32 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 32 V
Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 32 V
最大集电极-基极电压 -45 V
Infineon 最大集电极-基极电压 -45 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 -45 V
Infineon 双极晶体管 最大集电极-基极电压 -45 V
最大直流集电极电流 800mA
Infineon 最大直流集电极电流 800mA
双极晶体管 最大直流集电极电流 800mA
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最高工作温度 +150 °C
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双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 35
Infineon 最小直流电流增益 35
双极晶体管 最小直流电流增益 35
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BCW67CE6327产品技术参数资料
BCW67 & BCW68 PNP Transistors
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