BC860BWH6327,857-8223,Infineon BC860BWH6327 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:125, 250 MHz, 3引脚 SOT-323封装 ,Infineon
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BC860BWH6327
Infineon BC860BWH6327 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:125, 250 MHz, 3引脚 SOT-323封装
制造商零件编号:
BC860BWH6327
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
857-8223
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BC860BWH6327产品详细信息
小信号 PNP 晶体管,Infineon
BC860BWH6327产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2mm
尺寸
2 x 1.25 x 0.8mm
封装类型
SOT-323
高度
0.8mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
1.25mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
-5 V
最大工作频率
250 MHz
最大功率耗散
330 mW
最大基极-发射极饱和电压
850 mV
最大集电极-发射极饱和电压
650 mV
最大集电极-发射极电压
45 V
最大集电极-基极电压
-50 V
最大直流集电极电流
100 mA
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
125
关键词
BC860BWH6327相关搜索
安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2mm
Infineon 长度 2mm
双极晶体管 长度 2mm
Infineon 双极晶体管 长度 2mm
尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
Infineon 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
双极晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
Infineon 双极晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
封装类型 SOT-323
Infineon 封装类型 SOT-323
双极晶体管 封装类型 SOT-323
Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-323
高度 0.8mm
Infineon 高度 0.8mm
双极晶体管 高度 0.8mm
Infineon 双极晶体管 高度 0.8mm
晶体管类型 PNP
Infineon 晶体管类型 PNP
双极晶体管 晶体管类型 PNP
Infineon 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
Infineon 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.25mm
Infineon 宽度 1.25mm
双极晶体管 宽度 1.25mm
Infineon 双极晶体管 宽度 1.25mm
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
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引脚数目 3
Infineon 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
Infineon 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 -5 V
Infineon 最大发射极-基极电压 -5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
最大工作频率 250 MHz
Infineon 最大工作频率 250 MHz
双极晶体管 最大工作频率 250 MHz
Infineon 双极晶体管 最大工作频率 250 MHz
最大功率耗散 330 mW
Infineon 最大功率耗散 330 mW
双极晶体管 最大功率耗散 330 mW
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最大基极-发射极饱和电压 850 mV
Infineon 最大基极-发射极饱和电压 850 mV
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 850 mV
Infineon 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 850 mV
最大集电极-发射极饱和电压 650 mV
Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 650 mV
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最大集电极-发射极电压 45 V
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最大集电极-基极电压 -50 V
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最大直流集电极电流 100 mA
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最小直流电流增益 125
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BC860BWH6327产品技术参数资料
BC857...BC860 series PNP Transistors
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