BC847SH6727,857-8179,Infineon BC847SH6727, 双 NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:200, 250 MHz, 6引脚 SOT-363封装 ,Infineon
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BC847SH6727
Infineon BC847SH6727, 双 NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:200, 250 MHz, 6引脚 SOT-363封装
制造商零件编号:
BC847SH6727
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
857-8179
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BC847SH6727产品详细信息
小信号 NPN 晶体管,Infineon
BC847SH6727产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2mm
尺寸
2 x 1.25 x 0.8mm
封装类型
SOT-363
高度
0.8mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
隔离式
宽度
1.25mm
每片芯片元件数目
2
引脚数目
6
最大发射极-基极电压
6 V
最大工作频率
250 MHz
最大功率耗散
250 mW
最大基极-发射极饱和电压
900 mV
最大集电极-发射极饱和电压
600 mV
最大集电极-发射极电压
45 V
最大集电极-基极电压
50 V
最大直流集电极电流
100 mA
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
200
关键词
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安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2mm
Infineon 长度 2mm
双极晶体管 长度 2mm
Infineon 双极晶体管 长度 2mm
尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
Infineon 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
双极晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
Infineon 双极晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
封装类型 SOT-363
Infineon 封装类型 SOT-363
双极晶体管 封装类型 SOT-363
Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-363
高度 0.8mm
Infineon 高度 0.8mm
双极晶体管 高度 0.8mm
Infineon 双极晶体管 高度 0.8mm
晶体管类型 NPN
Infineon 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
Infineon 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 隔离式
Infineon 晶体管配置 隔离式
双极晶体管 晶体管配置 隔离式
Infineon 双极晶体管 晶体管配置 隔离式
宽度 1.25mm
Infineon 宽度 1.25mm
双极晶体管 宽度 1.25mm
Infineon 双极晶体管 宽度 1.25mm
每片芯片元件数目 2
Infineon 每片芯片元件数目 2
双极晶体管 每片芯片元件数目 2
Infineon 双极晶体管 每片芯片元件数目 2
引脚数目 6
Infineon 引脚数目 6
双极晶体管 引脚数目 6
Infineon 双极晶体管 引脚数目 6
最大发射极-基极电压 6 V
Infineon 最大发射极-基极电压 6 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 6 V
最大工作频率 250 MHz
Infineon 最大工作频率 250 MHz
双极晶体管 最大工作频率 250 MHz
Infineon 双极晶体管 最大工作频率 250 MHz
最大功率耗散 250 mW
Infineon 最大功率耗散 250 mW
双极晶体管 最大功率耗散 250 mW
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最大基极-发射极饱和电压 900 mV
Infineon 最大基极-发射极饱和电压 900 mV
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 900 mV
Infineon 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 900 mV
最大集电极-发射极饱和电压 600 mV
Infineon 最大集电极-发射极饱和电压 600 mV
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 600 mV
Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 600 mV
最大集电极-发射极电压 45 V
Infineon 最大集电极-发射极电压 45 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 45 V
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最大集电极-基极电压 50 V
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最大直流集电极电流 100 mA
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最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 200
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双极晶体管 最小直流电流增益 200
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BC847SH6727产品技术参数资料
BC846S/846U/847S Dual NPN Transistor
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