BFP640ESDH6327,827-5154,Infineon BFP640ESDH6327 , NPN 硅锗双极晶体管, 50 mA, Vce=4.1 V, HFE:110, 45 GHz, 4引脚 SOT-343封装 ,Infineon
来自 Infineon 的一系列超低噪声宽带 NPN 双极射频晶体管。 这些异质结双极性设备采用 Infineon 的硅锗:碳 (SiGe:C) 材料技术，特别适用于低功耗为关键要求的移动应用。 借助典型的高达 65 GHz 传输频率，这些设备用于放大器时可提供高达 10GHz 频率的高功率增益。 晶体管包括用于 ESD 的内部电路和过度射频输入电源保护。
