BFP182WH6327XTSA1,826-9367,Infineon BFP182WH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 35 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 4引脚 SOT-343封装 ,Infineon
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BFP182WH6327XTSA1
Infineon BFP182WH6327XTSA1 , NPN 射频双极晶体管, 35 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 4引脚 SOT-343封装
制造商零件编号:
BFP182WH6327XTSA1
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
826-9367
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BFP182WH6327XTSA1产品详细信息
射频双极晶体管,Infineon
BFP182WH6327XTSA1产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2mm
尺寸
2 x 1.25 x 0.8mm
封装类型
SOT-343
高度
0.8mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
1.25mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
4
最大发射极-基极电压
2 V
最大工作频率
8 GHz
最大功率耗散
250 mW
最大集电极-发射极电压
12 V
最大集电极-基极电压
20 V
最大直流集电极电流
35 mA
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
70
关键词
BFP182WH6327XTSA1相关搜索
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Infineon 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 2mm
Infineon 长度 2mm
双极晶体管 长度 2mm
Infineon 双极晶体管 长度 2mm
尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
Infineon 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
双极晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
Infineon 双极晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.8mm
封装类型 SOT-343
Infineon 封装类型 SOT-343
双极晶体管 封装类型 SOT-343
Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-343
高度 0.8mm
Infineon 高度 0.8mm
双极晶体管 高度 0.8mm
Infineon 双极晶体管 高度 0.8mm
晶体管类型 NPN
Infineon 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
Infineon 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
Infineon 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.25mm
Infineon 宽度 1.25mm
双极晶体管 宽度 1.25mm
Infineon 双极晶体管 宽度 1.25mm
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 4
Infineon 引脚数目 4
双极晶体管 引脚数目 4
Infineon 双极晶体管 引脚数目 4
最大发射极-基极电压 2 V
Infineon 最大发射极-基极电压 2 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 2 V
Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 2 V
最大工作频率 8 GHz
Infineon 最大工作频率 8 GHz
双极晶体管 最大工作频率 8 GHz
Infineon 双极晶体管 最大工作频率 8 GHz
最大功率耗散 250 mW
Infineon 最大功率耗散 250 mW
双极晶体管 最大功率耗散 250 mW
Infineon 双极晶体管 最大功率耗散 250 mW
最大集电极-发射极电压 12 V
Infineon 最大集电极-发射极电压 12 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 12 V
Infineon 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 12 V
最大集电极-基极电压 20 V
Infineon 最大集电极-基极电压 20 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 20 V
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最大直流集电极电流 35 mA
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双极晶体管 最大直流集电极电流 35 mA
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最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 70
Infineon 最小直流电流增益 70
双极晶体管 最小直流电流增益 70
Infineon 双极晶体管 最小直流电流增益 70
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BFP182WH6327XTSA1产品技术参数资料
BFP182W Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor Datasheet
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