BFP183E7764,826-9305,Infineon BFP183E7764 , NPN 射频双极晶体管, 65 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 4引脚 SOT-143封装 ,Infineon
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BFP183E7764
Infineon BFP183E7764 , NPN 射频双极晶体管, 65 mA, Vce=12 V, HFE:70, 8 GHz, 4引脚 SOT-143封装
制造商零件编号:
BFP183E7764
制造商:
Infineon
Infineon
库存编号:
826-9305
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BFP183E7764产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2.9mm
尺寸
2.9 x 1.3 x 0.9mm
封装类型
SOT-143
高度
0.9mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
1.3mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
4
最大发射极-基极电压
2 V
最大工作频率
8 GHz
最大功率耗散
250 mW
最大集电极-发射极电压
12 V
最大集电极-基极电压
20 V
最大直流集电极电流
65 mA
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
70
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BFP183E7764相关搜索
安装类型 表面贴装
Infineon 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
Infineon 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 2.9mm
Infineon 长度 2.9mm
双极晶体管 长度 2.9mm
Infineon 双极晶体管 长度 2.9mm
尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
Infineon 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
Infineon 双极晶体管 尺寸 2.9 x 1.3 x 0.9mm
封装类型 SOT-143
Infineon 封装类型 SOT-143
双极晶体管 封装类型 SOT-143
Infineon 双极晶体管 封装类型 SOT-143
高度 0.9mm
Infineon 高度 0.9mm
双极晶体管 高度 0.9mm
Infineon 双极晶体管 高度 0.9mm
晶体管类型 NPN
Infineon 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
Infineon 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
Infineon 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
Infineon 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.3mm
Infineon 宽度 1.3mm
双极晶体管 宽度 1.3mm
Infineon 双极晶体管 宽度 1.3mm
每片芯片元件数目 1
Infineon 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Infineon 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 4
Infineon 引脚数目 4
双极晶体管 引脚数目 4
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最大发射极-基极电压 2 V
Infineon 最大发射极-基极电压 2 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 2 V
Infineon 双极晶体管 最大发射极-基极电压 2 V
最大工作频率 8 GHz
Infineon 最大工作频率 8 GHz
双极晶体管 最大工作频率 8 GHz
Infineon 双极晶体管 最大工作频率 8 GHz
最大功率耗散 250 mW
Infineon 最大功率耗散 250 mW
双极晶体管 最大功率耗散 250 mW
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最大集电极-发射极电压 12 V
Infineon 最大集电极-发射极电压 12 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 12 V
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最大集电极-基极电压 20 V
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BFP183E7764产品技术参数资料
BFP183 Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor Datasheet
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