ZXTN2011GTA,822-2043,DiodesZetex ZXTN2011GTA , NPN 晶体管, 6 A, Vce=100 V, HFE:100, 130 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装 ,DiodesZetex
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ZXTN2011GTA
DiodesZetex ZXTN2011GTA , NPN 晶体管, 6 A, Vce=100 V, HFE:100, 130 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
制造商零件编号:
ZXTN2011GTA
制造商:
DiodesZetex
DiodesZetex
库存编号:
822-2043
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ZXTN2011GTA产品详细信息
通用 NPN 晶体管,超过 1.5A,Diodes Inc
ZXTN2011GTA产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.7mm
尺寸
6.7 x 3.7 x 1.7mm
封装类型
SOT-223
高度
1.7mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
3.7mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3 + Tab
最大发射极-基极电压
7 V
最大工作频率
130 MHz
最大功率耗散
3 W
最大基极-发射极饱和电压
1120 mV
最大集电极-发射极饱和电压
220 mV
最大集电极-发射极电压
100 V
最大集电极-基极电压
200 V
最大直流集电极电流
6 A
最低工作温度
-55 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
100
关键词
ZXTN2011GTA相关搜索
安装类型 表面贴装
DiodesZetex 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
DiodesZetex 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.7mm
DiodesZetex 长度 6.7mm
双极晶体管 长度 6.7mm
DiodesZetex 双极晶体管 长度 6.7mm
尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm
DiodesZetex 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm
双极晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm
DiodesZetex 双极晶体管 尺寸 6.7 x 3.7 x 1.7mm
封装类型 SOT-223
DiodesZetex 封装类型 SOT-223
双极晶体管 封装类型 SOT-223
DiodesZetex 双极晶体管 封装类型 SOT-223
高度 1.7mm
DiodesZetex 高度 1.7mm
双极晶体管 高度 1.7mm
DiodesZetex 双极晶体管 高度 1.7mm
晶体管类型 NPN
DiodesZetex 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
DiodesZetex 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
DiodesZetex 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
DiodesZetex 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 3.7mm
DiodesZetex 宽度 3.7mm
双极晶体管 宽度 3.7mm
DiodesZetex 双极晶体管 宽度 3.7mm
每片芯片元件数目 1
DiodesZetex 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
DiodesZetex 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3 + Tab
DiodesZetex 引脚数目 3 + Tab
双极晶体管 引脚数目 3 + Tab
DiodesZetex 双极晶体管 引脚数目 3 + Tab
最大发射极-基极电压 7 V
DiodesZetex 最大发射极-基极电压 7 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 7 V
DiodesZetex 双极晶体管 最大发射极-基极电压 7 V
最大工作频率 130 MHz
DiodesZetex 最大工作频率 130 MHz
双极晶体管 最大工作频率 130 MHz
DiodesZetex 双极晶体管 最大工作频率 130 MHz
最大功率耗散 3 W
DiodesZetex 最大功率耗散 3 W
双极晶体管 最大功率耗散 3 W
DiodesZetex 双极晶体管 最大功率耗散 3 W
最大基极-发射极饱和电压 1120 mV
DiodesZetex 最大基极-发射极饱和电压 1120 mV
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1120 mV
DiodesZetex 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1120 mV
最大集电极-发射极饱和电压 220 mV
DiodesZetex 最大集电极-发射极饱和电压 220 mV
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 220 mV
DiodesZetex 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 220 mV
最大集电极-发射极电压 100 V
DiodesZetex 最大集电极-发射极电压 100 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
DiodesZetex 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 100 V
最大集电极-基极电压 200 V
DiodesZetex 最大集电极-基极电压 200 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 200 V
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最大直流集电极电流 6 A
DiodesZetex 最大直流集电极电流 6 A
双极晶体管 最大直流集电极电流 6 A
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最低工作温度 -55 °C
DiodesZetex 最低工作温度 -55 °C
双极晶体管 最低工作温度 -55 °C
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最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 100
DiodesZetex 最小直流电流增益 100
双极晶体管 最小直流电流增益 100
DiodesZetex 双极晶体管 最小直流电流增益 100
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ZXTN2011GTA产品技术参数资料
ZXTN2011GTA Low Saturation 100V NPN Transistor Data Sheet
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