BUJ100LR,412,813-6700,NXP BUJ100LR,412 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=700 V, HFE:5, 3引脚 TO-92封装 ,WeEn Semiconductors Co., Ltd
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
双极晶体管
>
BUJ100LR,412
NXP BUJ100LR,412 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=700 V, HFE:5, 3引脚 TO-92封装
制造商零件编号:
BUJ100LR,412
制造商:
WeEn Semiconductors Co., Ltd
WeEn Semiconductors Co., Ltd
库存编号:
813-6700
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
BUJ100LR,412产品详细信息
高电压晶体管,Nexperia
BUJ100LR,412产品技术参数
安装类型
通孔
长度
4.8mm
尺寸
4.8 x 4.2 x 5.2mm
封装类型
TO-92
高度
5.2mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
4.2mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
9 V
最大功率耗散
2.1 W
最大基极-发射极饱和电压
1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压
1.5 V
最大集电极-发射极电压
700 V
最大集电极-基极电压
700 V
最大直流集电极电流
1 A
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
5
关键词
BUJ100LR,412相关搜索
安装类型 通孔
WeEn Semiconductors Co., Ltd 安装类型 通孔
双极晶体管 安装类型 通孔
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 安装类型 通孔
长度 4.8mm
WeEn Semiconductors Co., Ltd 长度 4.8mm
双极晶体管 长度 4.8mm
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 长度 4.8mm
尺寸 4.8 x 4.2 x 5.2mm
WeEn Semiconductors Co., Ltd 尺寸 4.8 x 4.2 x 5.2mm
双极晶体管 尺寸 4.8 x 4.2 x 5.2mm
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 尺寸 4.8 x 4.2 x 5.2mm
封装类型 TO-92
WeEn Semiconductors Co., Ltd 封装类型 TO-92
双极晶体管 封装类型 TO-92
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 封装类型 TO-92
高度 5.2mm
WeEn Semiconductors Co., Ltd 高度 5.2mm
双极晶体管 高度 5.2mm
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 高度 5.2mm
晶体管类型 NPN
WeEn Semiconductors Co., Ltd 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
WeEn Semiconductors Co., Ltd 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.2mm
WeEn Semiconductors Co., Ltd 宽度 4.2mm
双极晶体管 宽度 4.2mm
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 宽度 4.2mm
每片芯片元件数目 1
WeEn Semiconductors Co., Ltd 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
WeEn Semiconductors Co., Ltd 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 9 V
WeEn Semiconductors Co., Ltd 最大发射极-基极电压 9 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 9 V
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 最大发射极-基极电压 9 V
最大功率耗散 2.1 W
WeEn Semiconductors Co., Ltd 最大功率耗散 2.1 W
双极晶体管 最大功率耗散 2.1 W
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 最大功率耗散 2.1 W
最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
WeEn Semiconductors Co., Ltd 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
WeEn Semiconductors Co., Ltd 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.5 V
最大集电极-发射极电压 700 V
WeEn Semiconductors Co., Ltd 最大集电极-发射极电压 700 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 700 V
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 700 V
最大集电极-基极电压 700 V
WeEn Semiconductors Co., Ltd 最大集电极-基极电压 700 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 700 V
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 最大集电极-基极电压 700 V
最大直流集电极电流 1 A
WeEn Semiconductors Co., Ltd 最大直流集电极电流 1 A
双极晶体管 最大直流集电极电流 1 A
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 最大直流集电极电流 1 A
最高工作温度 +150 °C
WeEn Semiconductors Co., Ltd 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 5
WeEn Semiconductors Co., Ltd 最小直流电流增益 5
双极晶体管 最小直流电流增益 5
WeEn Semiconductors Co., Ltd 双极晶体管 最小直流电流增益 5
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
BUJ100LR,412产品技术参数资料
BUJ100LR NPN Power Transistor Data Sheet
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号