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安装类型	通孔
长度	10.67mm
尺寸	10.67 x 4.83 x 16.51mm
封装类型	TO-220
高度	16.51mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	4.83mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	5 V
最大功率耗散	30 W
最大基极-发射极饱和电压	1.3 V
最大集电极-发射极饱和电压	0.7 V
最大集电极-发射极电压	100 V
最大集电极-基极电压	100 V
最大直流集电极电流	1 A
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	15
关键词

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• TIP29/TIP29A/TIP29B/TIP29C, NPN Epitaxial Silicon Transistor Data Sheet