MJD31T4G,808-0146,ON Semiconductor MJD31T4G , NPN 晶体管, 3 A, Vce=40 V, HFE:10, 1 kHz, 3引脚 DPAK封装 ,ON Semiconductor
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MJD31T4G
ON Semiconductor MJD31T4G , NPN 晶体管, 3 A, Vce=40 V, HFE:10, 1 kHz, 3引脚 DPAK封装
制造商零件编号：
MJD31T4G
制造商：
ON Semiconductor
ON Semiconductor
库存编号：
808-0146
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
MJD31T4G产品详细信息
NPN 功率晶体管，ON Semiconductor
标准
带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。
MJD31T4G产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
6.73mm
尺寸
6.73 x 6.22 x 2.38mm
封装类型
DPAK
高度
2.38mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
6.22mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
5 V
最大工作频率
1 kHz
最大功率耗散
15 W
最大集电极-发射极饱和电压
1.2 V 直流
最大集电极-发射极电压
40 V
最大集电极-基极电压
40 V 直流
最大直流集电极电流
3 A
最低工作温度
-65 °C
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
10
关键词
MJD31T4G相关搜索
安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
ON Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装
长度 6.73mm
ON Semiconductor 长度 6.73mm
双极晶体管 长度 6.73mm
ON Semiconductor 双极晶体管 长度 6.73mm
尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
ON Semiconductor 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
双极晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
ON Semiconductor 双极晶体管 尺寸 6.73 x 6.22 x 2.38mm
封装类型 DPAK
ON Semiconductor 封装类型 DPAK
双极晶体管 封装类型 DPAK
ON Semiconductor 双极晶体管 封装类型 DPAK
高度 2.38mm
ON Semiconductor 高度 2.38mm
双极晶体管 高度 2.38mm
ON Semiconductor 双极晶体管 高度 2.38mm
晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
ON Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
ON Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 6.22mm
ON Semiconductor 宽度 6.22mm
双极晶体管 宽度 6.22mm
ON Semiconductor 双极晶体管 宽度 6.22mm
每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
ON Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
ON Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
ON Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 最大发射极-基极电压 5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 5 V
最大工作频率 1 kHz
ON Semiconductor 最大工作频率 1 kHz
双极晶体管 最大工作频率 1 kHz
ON Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 1 kHz
最大功率耗散 15 W
ON Semiconductor 最大功率耗散 15 W
双极晶体管 最大功率耗散 15 W
ON Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 15 W
最大集电极-发射极饱和电压 1.2 V 直流
ON Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 1.2 V 直流
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.2 V 直流
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.2 V 直流
最大集电极-发射极电压 40 V
ON Semiconductor 最大集电极-发射极电压 40 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 40 V
ON Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 40 V
最大集电极-基极电压 40 V 直流
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双极晶体管 最大集电极-基极电压 40 V 直流
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最大直流集电极电流 3 A
ON Semiconductor 最大直流集电极电流 3 A
双极晶体管 最大直流集电极电流 3 A
ON Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 3 A
最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 最低工作温度 -65 °C
双极晶体管 最低工作温度 -65 °C
ON Semiconductor 双极晶体管 最低工作温度 -65 °C
最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 最高工作温度 +150 °C
双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
ON Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
最小直流电流增益 10
ON Semiconductor 最小直流电流增益 10
双极晶体管 最小直流电流增益 10
ON Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 10
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MJD31T4G产品技术参数资料
Datasheet
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