MUN5330DW1T1G,807-9997,ON Semiconductor MUN5330DW1T1G, 双 NPN,PNP 晶体管, 100 mA, Vce=50 V, HFE:3, 10 kHz, 6引脚 SOT-363封装 ,ON Semiconductor
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ON Semiconductor MUN5330DW1T1G, 双 NPN,PNP 晶体管, 100 mA, Vce=50 V, HFE:3, 10 kHz, 6引脚 SOT-363封装

制造商零件编号:
MUN5330DW1T1G
库存编号:
807-9997
ON Semiconductor MUN5330DW1T1G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!

MUN5330DW1T1G产品详细信息

双 NPN/PNP 晶体管,On Semiconductor

每个双晶体管封装均包含 NPN 或 PNP 设备

MUN5330DW1T1G产品技术参数

  安装类型  表面贴装  
  长度  2.2mm  
  尺寸  2.2 x 1.35 x 1mm  
  封装类型  SOT-363  
  高度  1mm  
  晶体管类型  NPN,PNP  
  晶体管配置  隔离式  
  宽度  1.35mm  
  每片芯片元件数目  2  
  引脚数目  6  
  最大发射极-基极电压  6 V  
  最大工作频率  10 kHz  
  最大功率耗散  385 mW  
  最大集电极-发射极饱和电压  0.25 V  
  最大集电极-发射极电压  50 V  
  最大集电极-基极电压  50 V 直流  
  最大直流集电极电流  100 mA  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小直流电流增益  3  
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电话:400-900-3095
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MUN5330DW1T1G产品技术参数资料

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