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安装类型	表面贴装
长度	2.92mm
尺寸	2.92 x 1.4 x 0.94mm
封装类型	SOT-23
高度	0.94mm
晶体管类型	PNP
晶体管配置	单
宽度	1.4mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	-5 V
最大工作频率	75 MHz
最大功率耗散	500 mW
最大基极-发射极饱和电压	-1.25 V
最大集电极-发射极饱和电压	-300 mV
最大集电极-发射极电压	60 V
最大集电极-基极电压	-60 V
最大直流集电极电流	2 A
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	40
关键词

安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装  双极晶体管 安装类型 表面贴装  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 安装类型 表面贴装   长度 2.92mm  Fairchild Semiconductor 长度 2.92mm  双极晶体管 长度 2.92mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 长度 2.92mm   尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm  双极晶体管 尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm   封装类型 SOT-23  Fairchild Semiconductor 封装类型 SOT-23  双极晶体管 封装类型 SOT-23  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 封装类型 SOT-23   高度 0.94mm  Fairchild Semiconductor 高度 0.94mm  双极晶体管 高度 0.94mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 高度 0.94mm   晶体管类型 PNP  Fairchild Semiconductor 晶体管类型 PNP  双极晶体管 晶体管类型 PNP  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 PNP   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 1.4mm  Fairchild Semiconductor 宽度 1.4mm  双极晶体管 宽度 1.4mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 宽度 1.4mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 -5 V  Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 -5 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V   最大工作频率 75 MHz  Fairchild Semiconductor 最大工作频率 75 MHz  双极晶体管 最大工作频率 75 MHz  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 75 MHz   最大功率耗散 500 mW  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 500 mW  双极晶体管 最大功率耗散 500 mW  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 500 mW   最大基极-发射极饱和电压 -1.25 V  Fairchild Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 -1.25 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -1.25 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -1.25 V   最大集电极-发射极饱和电压 -300 mV  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -300 mV  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -300 mV  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -300 mV   最大集电极-发射极电压 60 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 60 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V   最大集电极-基极电压 -60 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极电压 -60 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 -60 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 -60 V   最大直流集电极电流 2 A  Fairchild Semiconductor 最大直流集电极电流 2 A  双极晶体管 最大直流集电极电流 2 A  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 2 A   最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 最低工作温度 -55 °C  双极晶体管 最低工作温度 -55 °C  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 40  Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 40  双极晶体管 最小直流电流增益 40  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 40  

• FSB660A, PNP Low Saturation Transistor Data Sheet