FJX2907ATF,807-0971,Fairchild Semiconductor FJX2907ATF , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 3引脚 SOT-323封装 ,Fairchild Semiconductor
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FJX2907ATF
Fairchild Semiconductor FJX2907ATF , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 3引脚 SOT-323封装
制造商零件编号:
FJX2907ATF
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0971
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FJX2907ATF产品详细信息
小信号 PNP 晶体管,60 至 160V,Fairchild Semiconductor
FJX2907ATF产品技术参数
安装类型
表面贴装
长度
2mm
尺寸
2 x 1.25 x 0.9mm
封装类型
SOT-323
高度
0.9mm
晶体管类型
PNP
晶体管配置
单
宽度
1.25mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
-5 V
最大工作频率
200 MHz
最大功率耗散
325 mW
最大基极-发射极饱和电压
-2.6 V
最大集电极-发射极饱和电压
-1.6 V
最大集电极-发射极电压
60 V
最大集电极-基极电压
-60 V
最大直流集电极电流
600 mA
最小直流电流增益
50
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安装类型 表面贴装
Fairchild Semiconductor 安装类型 表面贴装
双极晶体管 安装类型 表面贴装
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长度 2mm
Fairchild Semiconductor 长度 2mm
双极晶体管 长度 2mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 长度 2mm
尺寸 2 x 1.25 x 0.9mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 2 x 1.25 x 0.9mm
双极晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.9mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 尺寸 2 x 1.25 x 0.9mm
封装类型 SOT-323
Fairchild Semiconductor 封装类型 SOT-323
双极晶体管 封装类型 SOT-323
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 封装类型 SOT-323
高度 0.9mm
Fairchild Semiconductor 高度 0.9mm
双极晶体管 高度 0.9mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 高度 0.9mm
晶体管类型 PNP
Fairchild Semiconductor 晶体管类型 PNP
双极晶体管 晶体管类型 PNP
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 PNP
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 1.25mm
Fairchild Semiconductor 宽度 1.25mm
双极晶体管 宽度 1.25mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 宽度 1.25mm
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 -5 V
Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 -5 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 -5 V
最大工作频率 200 MHz
Fairchild Semiconductor 最大工作频率 200 MHz
双极晶体管 最大工作频率 200 MHz
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 200 MHz
最大功率耗散 325 mW
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 325 mW
双极晶体管 最大功率耗散 325 mW
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 325 mW
最大基极-发射极饱和电压 -2.6 V
Fairchild Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 -2.6 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -2.6 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 -2.6 V
最大集电极-发射极饱和电压 -1.6 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 -1.6 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -1.6 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 -1.6 V
最大集电极-发射极电压 60 V
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双极晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 60 V
最大集电极-基极电压 -60 V
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双极晶体管 最大集电极-基极电压 -60 V
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最大直流集电极电流 600 mA
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双极晶体管 最大直流集电极电流 600 mA
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最小直流电流增益 50
Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 50
双极晶体管 最小直流电流增益 50
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