FJPF5021OTU,807-0912,Fairchild Semiconductor FJPF5021OTU , NPN 晶体管, 5 A, Vce=500 V, HFE:8, 15 MHz, 3引脚 TO-220F封装 ,Fairchild Semiconductor
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FJPF5021OTU
Fairchild Semiconductor FJPF5021OTU , NPN 晶体管, 5 A, Vce=500 V, HFE:8, 15 MHz, 3引脚 TO-220F封装
制造商零件编号:
FJPF5021OTU
制造商:
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0912
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
FJPF5021OTU产品详细信息
高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor
FJPF5021OTU产品技术参数
安装类型
通孔
长度
10.16mm
尺寸
10.16 x 4.7 x 15.87mm
封装类型
TO-220F
高度
15.87mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
单
宽度
4.7mm
每片芯片元件数目
1
引脚数目
3
最大发射极-基极电压
7 V
最大工作频率
15 MHz
最大功率耗散
40 W
最大基极-发射极饱和电压
1.5 V
最大集电极-发射极饱和电压
1 V
最大集电极-发射极电压
500 V
最大集电极-基极电压
800 V
最大直流集电极电流
5 A
最高工作温度
+150 °C
最小直流电流增益
8
关键词
FJPF5021OTU相关搜索
安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔
双极晶体管 安装类型 通孔
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 安装类型 通孔
长度 10.16mm
Fairchild Semiconductor 长度 10.16mm
双极晶体管 长度 10.16mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 长度 10.16mm
尺寸 10.16 x 4.7 x 15.87mm
Fairchild Semiconductor 尺寸 10.16 x 4.7 x 15.87mm
双极晶体管 尺寸 10.16 x 4.7 x 15.87mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 尺寸 10.16 x 4.7 x 15.87mm
封装类型 TO-220F
Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-220F
双极晶体管 封装类型 TO-220F
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TO-220F
高度 15.87mm
Fairchild Semiconductor 高度 15.87mm
双极晶体管 高度 15.87mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 高度 15.87mm
晶体管类型 NPN
Fairchild Semiconductor 晶体管类型 NPN
双极晶体管 晶体管类型 NPN
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN
晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单
双极晶体管 晶体管配置 单
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单
宽度 4.7mm
Fairchild Semiconductor 宽度 4.7mm
双极晶体管 宽度 4.7mm
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 宽度 4.7mm
每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1
双极晶体管 每片芯片元件数目 1
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1
引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 引脚数目 3
双极晶体管 引脚数目 3
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3
最大发射极-基极电压 7 V
Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 7 V
双极晶体管 最大发射极-基极电压 7 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 7 V
最大工作频率 15 MHz
Fairchild Semiconductor 最大工作频率 15 MHz
双极晶体管 最大工作频率 15 MHz
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 15 MHz
最大功率耗散 40 W
Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 40 W
双极晶体管 最大功率耗散 40 W
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 40 W
最大基极-发射极饱和电压 1.5 V
Fairchild Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 1.5 V
双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.5 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.5 V
最大集电极-发射极饱和电压 1 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 1 V
双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1 V
最大集电极-发射极电压 500 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 500 V
双极晶体管 最大集电极-发射极电压 500 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 500 V
最大集电极-基极电压 800 V
Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极电压 800 V
双极晶体管 最大集电极-基极电压 800 V
Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 800 V
最大直流集电极电流 5 A
Fairchild Semiconductor 最大直流集电极电流 5 A
双极晶体管 最大直流集电极电流 5 A
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最高工作温度 +150 °C
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双极晶体管 最高工作温度 +150 °C
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最小直流电流增益 8
Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 8
双极晶体管 最小直流电流增益 8
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FJPF5021OTU产品技术参数资料
FJPF5021, High Voltage and High Reliability Data Sheet
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